[发明专利]RF功率器件

权利要求书

1.一种RF功率器件，包括：

半导体衬底，具有布置成阵列的多个有源区，其中每一个有源区包括一个或多个RF功率晶体管，并且所述有源区通过非有源区分隔开，所述非有源区用于减少分离的有源区中的RF功率晶体管的相互加热；以及

至少一个阻抗匹配部件，位于一个或多个所述非有源区中。

2.根据权利要求1所述的器件，包括位于衬底的非有源区之一中的多个阻抗匹配部件。

3.根据权利要求1所述的器件，包括位于衬底的多个非有源区的每一个中的多个阻抗匹配部件。

4.根据任一前述权利要求所述的器件，其中所述非有源区不包括除了阻抗匹配部件之外的其他部件。

5.根据任一前述权利要求所述的器件，其中所述非有源区与所述有源区毗邻。

6.根据任一前述权利要求所述的器件，包括用于分离的有源区中的至少两个RF功率晶体管的栅极和/或漏极的公共栅极连接和/或公共漏极连接。

7.根据权利要求6所述的器件，包括连接在公共栅极连接和/或公共漏极连接与所述器件的接地触点之间的一个或多个阻抗匹配部件。

8.根据权利要求6所述的器件，包括连接在公共栅极连接和至少一个RF功率晶体管的栅极之间的一个或多个阻抗匹配部件、和/或连接在公共漏极连接和至少一个RF功率晶体管的漏极之间的一个或多个阻抗匹配部件。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的器件，其中所述非有源区与公共栅极连接和/或公共漏极连接毗邻。

10.根据任一前述权利要求所述的器件，包括一个或多个阻抗匹配部件，所述阻抗匹配部件包括电容器或电感器。

11.根据任一前述权利要求所述的器件，其中所述非有源区在半导体衬底上占据的面积比有源区占据的面积大。

12.根据权利要求11所述的器件，其中所述非有源区在半导体衬底上占据的面积实质上是有源区占据的面积的3至50倍。

13.根据任一前述权利要求所述的器件，其中所述阻抗匹配部件为所述器件提供输入阻抗匹配。

14.根据任一前述权利要求所述的器件，其中所述阻抗匹配部件为所述器件提供输出阻抗匹配。