[发明专利]显示装置以及包含其的影像显示系统

说明书

技术领域

本发明是有关于一种显示装置以及包含其的影像显示系统，特别是关于一种具有可提升开口率的显示装置以及包含其的影像显示系统。

背景技术

薄膜晶体管(TFT)液晶显示装置的像素基板一般包含晶体管、储存电容、像素电极、扫描线、资料线等元件。其中，储存电容可维持驱动液晶所需的电位，避免像素闪烁(flickering)、及对比不佳(low color contrast)等问题。

请参照图1，是为现有一下电极式薄膜晶体管液晶显示装置其像素基板50的剖面示意图。该像素基板50包含一基板10；该基板10上形成有一栅极电极14以及一共通电极配线(common line)12；一栅极绝缘层16形成于该栅极电极14以及该共通电极配线12之上；一通道层18形成于位于栅极电极14正上方的栅极绝缘层16之上；一对源极/漏极电极20形成于该通道层18两侧，以及一金属桥接层22形成于该栅极绝缘层16之上；一保护层24顺应性形成于该源极/漏极电极20、该通道层18、以及该金属桥接层22之上；一贯孔26贯穿该保护层24，并露出部分该金属桥接层22的上面表；以及，一透明导电层28(作为像素电极)形成于位于共通电极配线12正上方的保护层24之上，并填入该贯孔26中与该金属桥接层22直接接触。仍请参照图1，该共通电极配线12、部分该透明导电层28、以及位于该共通电极配线12以及该透明导电层28之间的栅极绝缘层16与保护层24构成一储存电容(storage capacitor)，其中该共通电极配线12作为该储存电容的下电极，而该透明导电层28作为该储存电容的上电极。一般来说法，为达到使用最少掩膜数目的工艺目的(该像素基板50是使用五道掩膜工艺)，该栅极电极14以及该共通电极配线12是对一第一金属导电层使用同一道掩膜进行图形化后所定义出来。换言之，该共通电极配线12与该栅极电极14同样由一不透明金属导电层所成，如此一来储存电容30所在区域无法使得背光源穿过，降低开口率以及影像亮度。此外，为当提高影像解析度而缩小像素的整体尺寸时，像素的最大部分的面积应该是用于配置像素电极，相对的，非显示区域(例如储存电容器所占的区域)使用的像素面积应缩到最小，以维持像素的开口率。然而，为提高开口率而降低储存电容器的尺寸，会使像素无法储存必要的电容值，因此导致显示器内的像素闪烁、颜色对比不佳、及串音(cross-talk)的问题，进而影响显示器的性能表现。

因此，如何能同时增加储存电容器的容量且增加像素电极的面积(换言之，在不影响像素的开口率的情况下增加储存电容器的容量)，是目前薄膜晶体管液晶显示器工艺中一个非常重要的个课题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种显示装置以及包含其的影像显示系统，其具有提升开口率(aperture ratio)的显示装置。该显示装置是利用形成透明的储存电容下电极，可在不增加整个工艺掩膜数量的前提下，提升像素区域的开口率。

该显示装置包含一薄膜晶体管，以及一储存电容。其中该薄膜晶体管包含一通道。该储存电容包含一透明金属氧化电极，与该通道是由相同的材质所构成；及一像素电极，位于该透明金属氧化电极上，且电性连接该薄膜晶体管。

该影像显示系统包含上述的显示装置及一输入单元，该输入单元与所述显示装置耦接，其中该输入单元传输一信号至所述显示装置以产生影像。

为使本发明的上述目的、特征能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1是绘示现有像素基板的剖面结构示意图；

图2图是为本发明一实施例所述的显示装置的剖面结构示意图；

图3a-图3i是为一系列剖面结构示意图，用以说明本发明图2所述的显示装置的制造流程。

图4是为本发明另一实施例所述的显示装置的剖面结构示意图；

图5a-图5c是为一系列剖面结构示意图，用以说明本发明另一实施例所述的显示装置的制造流程；

图6a-图6d是为一系列剖面结构示意图，用以说明本发明其他实施例所述的显示装置的制造流程；

图7是绘示根据本发明一实施例的影像显示系统方块示意图。

附图标号：

10～基板；                   12～共通电极配线；

14～栅极电极；               16～栅极绝缘层；

18～通道层；                 20～源极/漏极电极；