[发明专利]电极共平面的发光二极管元件、封装结构及光反射结构

说明书

技术领域

本发明有关一种发光二极管元件，尤指一种电极为共平面的覆晶式发光二极管元件的结构、覆晶式发光二极管封装结构，及适用于覆晶式发光二极管元件的光反射结构。

背景技术

在有关覆晶式发光二极管元件(flip-chip light emitting diode)或覆晶式发光二极管封装结构或适用于覆晶式发光二极管的反射结构等技术领域中，目前已存在多种现有技术，如：中国台湾专利公告第573330号、新型第M350824号；美国专利US6,914,268、US8,049,230、US7,985,979、US 7,939,832、US 7,713,353、US 7,642,121、US 7,462,861、US 7,393,411、US7,335,519、US7,294,866、US7,087,526、US5,557,115、US6,514,782、US 6,497,944、US 6,791,119；及美国专利公开号US2002/0163302、US2004/0113156等。而上述该多个现有技术大都是针对一发光二极管(LED)元件结构或其封装(package)结构，在发光效率、散热功能、使用寿命、制造成本、组装良率、制程简化、光衰等方面所产生的问题与缺失，而提出可解决该多个问题与缺失的不同的技术手段。

以US 6,914,268为例说明，US 6,914,268揭示一种发光二极管(LED)元件、覆晶式发光二极管的封装结构及一适用于覆晶式发光二极管元件的反射结构(LED DEVICE，FLIP-CHIP LED PACKAGE AND LIGHT REFLECTING STRUCTURE)，但其LED结构仍然存在下列缺点：

(1)US 6,914,268所揭示的两个电极连接垫，如其图1-3中所示的正极(anode，160/260)及负极(cathode，170/270)，均非共平面，致造成后续制程如覆晶式发光二极管封装结构(如该专利的图3所示)的组装良率无法有效提升，且相对无法简化制程及有效降低制作成本。

(2)US 6,914,268所揭示的一电极连接垫，如其图1-3中所示的正极(anode，160/260)，形成并位于一反射层(reflecting layer，150/250)上，而该反射层(reflecting layer，150/250)又系形成并位于一透明导电金属氧化物层(transparent conductive oxide layer，140/240)上，因此制程中，该正极(anode，160/260)须穿过该反射层(150/250)及该透明导电金属氧化物层(140/240)以能与一P型掺杂层(P-type doped layer，130/230)电性连接，如此相对造成制程的复杂化，无法简化制程及有效降低制作成本。

由上可知，上述该多个现有技术的结构及制程实难以符合实际使用时的需求，因此在发光二极管元件、覆晶式发光二极管封装结构及光反射结构等结构设计方面，尤其针对一覆晶式发光二极管元件的电极连接垫(如US 6,914,268的正极160/260)及反射层(如US 6,914,268的150/250)，仍存在进一步改进的需要性。本发明的发光二极管元件在此技术发展空间有限的领域中，提出一种发光二极管元件的发明，以达成有效提升组装良率、简化制程及有效降低制作成本的功效。

发明内容

本发明主要目的在于提供一种发光二极管元件，其具有至少两个分开且不同极的电极第二部，且该至少两个不同极的电极第二部的上表面设计为共平面，由此能有效提升覆晶式发光二极管封装结构的组装良率。

本发明再一目的在于提供一种发光二极管元件，其具有至少两个分开且不同极的电极第二部，且该至少两个不同极的电极第二部的范围相对地扩大至涵盖该发光二极管元件的发光层的大部分表面，以使该两个分开的电极第二部能作为该发光层发出的光的反射层，以达成简化制程及有效降低制作成本的功效。