[发明专利]一种低功耗短脉冲产生电路及低功耗脉冲型D触发器

权利要求书

1.一种低功耗短脉冲产生电路，其特征在于：包括第一PMOS管、第一NMOS管、第一与非门和第一反相器，所述的第一PMOS管的源极与电源正端相连接，所述的第一与非门的第一信号输入端、所述的第一PMOS管的漏极及所述的第一NMOS管的漏极三者相连接，所述的第一与非门的第二信号输入端与所述的第一PMOS管的栅极相连接，所述的第一NMOS管的源极接地，所述的第一与非门的信号输出端、所述的第一反相器的信号输入端及互补脉冲信号输出端三者相连接，所述的第一反相器的信号输出端、所述的第一NMOS管的栅极及所述的脉冲信号输出端三者相连接，所述的第一PMOS管的栅极与时钟信号相连接。

2.根据权利要求1所述的一种低功耗短脉冲产生电路，其特征在于：所述的第一与非门由第二PMOS管、第三PMOS管、第二NMOS管及第三NMOS管组成，所述的第二PMOS管的源极、所述的第三PMOS管的源极均与电源正端相连接，所述的第二PMOS管的漏极、所述的第三PMOS管的漏极、所述的第二NMOS管的漏极及所述的互补脉冲信号输出端四者相连接，所述的第二NMOS管的源极与所述的第三NMOS管的漏极相连接，所述的第三NMOS管的源极接地，所述的第三PMOS管的栅极、所述的第三NMOS管的栅极均为所述的第一与非门的第一信号输入端，所述的第三PMOS管的栅极、所述的第三NMOS管的栅极、所述的第一PMOS管的漏极及所述的第一NMOS管的漏极四者相连接，所述的第二PMOS管的栅极、所述的第二NMOS管的栅极均为所述的第一与非门的第二信号输入端，所述的第二PMOS管的栅极、所述的第二NMOS管的栅极及所述的第一PMOS管的栅极均与时钟信号相连接，所述的第二PMOS管的沟道长度、所述的第三PMOS管的沟道长度、所述的第二NMOS管的沟道长度及所述的第三NMOS管的沟道长度均为标准工艺下最小沟道长度的1.15～1.4倍。

3.一种低功耗脉冲型D触发器，其特征在于：包括低功耗短脉冲产生电路、输入反相电路、钟控CMOS逻辑D锁存器单元和输出反相电路，所述的低功耗短脉冲产生电路的互补脉冲信号输出端与所述的钟控CMOS逻辑D锁存器单元的互补脉冲信号输入端相连接，所述的低功耗短脉冲产生电路的脉冲信号输出端与所述的钟控CMOS逻辑D锁存器单元的脉冲信号输入端相连接，所述的输入反相电路的信号输出端与所述的钟控CMOS逻辑D锁存器单元的复位信号输入端相连接，所述的钟控CMOS逻辑D锁存器单元的信号输出端与所述的输出反相电路的信号输入端相连接。

4.根据权利要求3所述的一种低功耗脉冲型D触发器，其特征在于：所述的低功耗短脉冲产生电路包括第一PMOS管、第一NMOS管、第一与非门和第一反相器，所述的第一PMOS管的源极与电源正端相连接，所述的第一与非门的第一信号输入端、所述的第一PMOS管的漏极及所述的第一NMOS管的漏极三者相连接，所述的第一与非门的第二信号输入端与所述的第一PMOS管的栅极相连接，所述的第一NMOS管的源极接地，所述的第一与非门的信号输出端、所述的第一反相器的信号输入端及所述的低功耗短脉冲产生电路的互补脉冲信号输出端三者相连接，所述的第一反相器的信号输出端、所述的第一NMOS管的栅极及所述的低功耗短脉冲产生电路的脉冲信号输出端三者相连接，所述的第一PMOS管的栅极与时钟信号相连接。