[发明专利]IGBT用区熔单晶硅双面抛光片的有蜡贴片工艺

权利要求书

1.IGBT用区熔单晶硅双面抛光片的有蜡贴片工艺，其特征在于：所述工艺包括如下次序的步骤： 

设定供蜡量：贴蜡部的滴蜡量控制在1～1.5ml/次范围，贴第一面和贴第二面设定供蜡量相同；

设定涂蜡转速：涂蜡后硅片高速旋转，将蜡在硅片表面涂抹均匀，涂蜡转速范围设定，

对于第一面既腐蚀面涂蜡转速：3000-4000rpm，对于第二面既抛光面涂蜡转速：2000-3000rpm；

烘烤温度：涂蜡结束后硅片被送进烘箱进行烘烤，以挥发掉蜡中的IPA等有机成分，温度下限为70℃，上限为280℃，贴第一面和贴第二面时所设定的烘烤温度相同；

陶瓷板温度：将贴蜡后的超薄区熔硅片放到已预热的陶瓷板上进行贴片，陶瓷板温度控制范围为85～120℃，贴第一面和贴第二面时所设定的陶瓷板温度相同；

贴片压力：使用气囊对带有蜡膜的硅片进行加压，气囊的压力在15-25psi 之间进行调整，贴第一面和贴第二面时所设定的贴片压力相同；

    根据上述方法，区熔硅片经有蜡贴片抛光工艺获得的区熔硅双面抛光片达到：

    厚度公差：±5μm；

    TTV：≤3μm，TTV为总厚度偏差；

    TIR：≤1.5 μm，TIR为平整度；

STIR：≤1.5 μm， STIR为局部平整度； 

表面洁净度：>0.3μm颗粒数：≤5个。