[发明专利]金属氧化物半导体器件有效
| 申请号： | 201110415390.5 | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102569400A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 苗跃;萧经华;李秋敏;赵冬芹;曹廷 | 申请（专利权）人： | 钜泉光电科技（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 成春荣;竺云 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体器件 | ||
1.一种金属氧化物半导体器件，其特征在于，包含衬底连接在一起的4种连接方式不同的金属氧化物半导体管，分别为第一差分管、第二差分管、第一陪衬单元和第二陪衬单元；
第一和第二差分管的栅极分别与两个差分输入端连接，第一和第二差分管的源极相互连接，第一和第二差分管的漏极分别与两个输出端连接；
第一陪衬单元的源极、栅极和衬底三端短接在一起；
第二陪衬单元的源极、栅极和衬底三端短接在一起；
第一差分管和第二差分管以插指的方式匹配，第一陪衬单元和第二陪衬单元分别在第一差分管和第二差分管的外侧，并且第一差分管的一个漏极与第一陪衬单元的漏极共用一个电极，第二差分管的一个漏极与第二陪衬单元的漏极共用一个电极。
2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述第一差分管的一个漏极与第一陪衬单元的漏极共用的电极，与第一陪衬单元的源极、栅极和衬底三端短接在一起的结构形成一个反偏的二极管；
所述第二差分管的一个漏极与第二陪衬单元的漏极共用的电极，与第二陪衬单元的源极、栅极和衬底三端短接在一起的结构形成一个反偏的二极管。
3.根据权利要求1或2所述的金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述第一差分管和第二差分管分别由多个金属氧化物半导体管并联而成。
4.根据权利要求1或2所述的金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述第一差分管和第二差分管分别只包括1个金属氧化物半导体管。
5.根据权利要求3所述的金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述第一差分管和第二差分管分别由3个金属氧化物半导体管并联而成。
6.根据权利要求5所述的金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述第一差分管和第二差分管以插指的方式匹配，匹配的顺序为：第二差分管、第一差分管、第一差分管、第二差分管、第二差分管和第一差分管。
7.根据权利要求6所述的金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述4种连接方式不同的金属氧化物半导体管可以是N沟道金属氧化物半导体管。
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