[发明专利]一种多位非挥发存储单元及阵列的编程方法无效
| 申请号： | 201110410001.X | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN103165188A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 刘明;姜丹丹;霍宗亮;张满红;刘璟;谢常青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多位非 挥发 存储 单元 阵列 编程 方法 | ||
1.一种多位非挥发存储单元的编程方法，其特征在于，在p型沟道多位非挥发存储单元的衬底和源端施加相同的正偏压，漏端接地，栅极施加编程脉冲电压，经过多个编程周期后，多位非挥发存储单元编程为设定状态，其中，所述编程周期包括Fowler-Nordheim隧穿过程和沟道热电子注入过程，所述Fowler-Nordheim隧穿过程中栅极施加负编程脉冲电压VgFN，所述沟道热电子注入过程中栅极施加正编程脉冲电压VgCHEI，并且|VgFN|＞|VgCHEI|。
2.根据权利要求1所述的多位非挥发存储单元的编程方法，其特征在于，所述编程周期中，负编程脉冲电压持续时间比正编程脉冲电压持续时间长。
3.根据权利要求1或2所述的多位非挥发存储单元的编程方法，其特征在于，所述编程周期内，先进行Fowler-Nordheim隧穿过程，再进行沟道热电子注入过程。
4.根据权利要求1或2所述的多位非挥发存储单元的编程方法，其特征在于，所述编程周期内，先进行沟道热电子注入过程，再进行Fowler-Nordheim隧穿过程。
5.根据权利要求1或2所述的多位非挥发存储单元的编程方法，其特征在于，所述设定状态为10态、01态或00态。
6.根据权利要求1或2所述的多位非挥发存储单元的编程方法，其特征在于，经过5-10个编程周期后，多位非挥发存储器编程为指定状态。
7.根据权利要求1、2或3所述的多位非挥发存储单元的编程方法，其特征在于，还包括，
在p型沟道多位非挥发存储单元的衬底施加所述正偏压，源端浮空，漏端接地，栅极施加编程电压，多位非挥发存储单元编程为11态。
8.根据权利要求1、2或3所述的多位非挥发存储单元的编程方法，其特征在于，所述多位非挥发存储单元的存储层为纳米晶材料。
9.一种多位非挥发存储单元阵列的编程方法，其特征在于，包括多个权利要求1所述的多位非挥发存储单元，在预编程到同一设定状态的所有多位非挥发存储单元的衬底和源端施加相同的正偏压，漏端接地，栅极施加编程脉冲电压，经过至少一个编程周期后，预编程到同一设定状态的所有多位非挥发存储单元都编程为所述设定状态，其中，所述编程周期包括Fowler-Nordheim隧穿过程和沟道热电子注入过程，所述Fowler-Nordheim隧穿过程中栅极施加负编程脉冲电压VgFN，所述沟道热电子注入过程中栅极施加正编程脉冲电压VgCHEI，并且|VgFN|＞|VgCHEI|。
10.根据权利要求9所述的多位非挥发存储单元阵列的编程方法，其特征在于，还包括，所述编程周期中，负编程脉冲电压持续时间比正编程脉冲电压持续时间长。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110410001.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：ESP大功率串联谐振电感
- 下一篇：一种最大相关系数的优化方法及其装置
