[发明专利]太阳能电池及其制造方法

说明书

【技术领域】

本发明是有关于一种太阳能电池及其制造方法。

【背景技术】

硅基太阳能电池为业界常见的一种太阳能电池。硅基太阳能电池的原理是将高纯度的半导体材料(硅)加入掺质物使其呈现不同的性质，以形成p型半导体及n型半导体，并将p-n两型半导体相接合，如此即可形成p-n接面。当太阳光照射到一个p-n结构的半导体时，光子所提供的能量可能会把半导体中的电子激发出来产生电子-电洞对。通过电极的设置，使电洞往电场的方向移动并使电子往相反的方向移动，如此即可构成太阳能电池。

一般来说，当太阳能电池在运作一段时间之后会产生热。倘若上述所产生的热能没有散出或是导出太阳能电池外，就容易使得太阳能电池的输出效能变差。特别是，当太阳能电池温度越高时，太阳能电池的输出效能就会越低。

【发明内容】

本发明提供一种太阳能电池及其制造方法，其可以解决传统太阳能电池因热能无法散出而导致输出功率降低的问题。

本发明提出一种太阳能电池，其包括半导体基材、掺杂材料层、第一接触电极、电极层、散热材料层以及第二接触电极。半导体基材具有第一表面以及第二表面。掺杂材料层位于靠近第一表面的半导体基材之上或内。第一接触电极位于掺杂材料层上。电极层位于半导体基材的第二表面上。散热材料层覆盖电极层。第二接触电极位于散热材料层上，且第二接触电极与电极层电性连接。

本发明提出一种太阳能电池的制造方法，包括提供半导体基材，其具有第一表面以及第二表面。于靠近第一表面的半导体基材之上或内形成掺杂材料层。于掺杂材料层上形成第一接触电极。于半导体基材的第二表面上形成电极层。于电极层上形成散热材料层。于散热材料层上形成第二接触电极，其中第二接触电极与电极层电性连接。

基于上述，本发明在于半导体基材的第二表面的电极层上形成散热材料层，其可以有效地将太阳能电池内所产生的热能导出，以使得太阳能电池的温度不会明显升高。如此一来，便可使得太阳能电池为持较佳的输出功率。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

【附图说明】

图1A至图1B是根据本发明一实施例的太阳能电池的制造流程视意图。

图2A至图2B是根据本发明另一实施例的太阳能电池的制造流程视意图。

【主要组件符号说明】

102：半导体基材

102a：第一表面

102b：第二表面

104：掺杂材料层

104a：高掺杂浓度的接触区

106：第一接触电极

108：电极层

110：散热材料层

112：第二接触电极

C：接触窗开口

【具体实施方式】

图1A至图1B是根据本发明一实施例的太阳能电池的制造流程视意图。请参照图1A，本实施例的太阳能电池的制造方法首先提供半导体基材102，半导体基材102具有第一表面102a以及第二表面102b。半导体基材102例如是掺杂n型掺质的半导体材料或是掺杂p型掺质的半导体材料。半导体基材102的半导体材料可为硅、硫化镉(CdS)、铜铟镓二硒(CuInGaSe₂，CIGS)、铜铟二硒(CuInSe₂，CIS)、碲化镉(CdTe)、半导体有机材料(organic material)或上述材料堆栈的多层结构。上述的硅包括单晶硅(single crystalsilicon)、多晶硅(polycrystal silicon)、非晶硅(amorphous silicon)或是微晶硅(microcrystal silicon)。掺杂于半导体材料中的n型掺质可以是选自元素周期表中的第五族元素，例如磷(P)、砷(As)或是锑(Sb)等等。掺杂于半导体材料中的p型掺质可以是选自元素周期表中三族元素的群组，例如是硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)等等。