[发明专利]对地址不对称NVM单元具有增强的效率的非易失性存储器

权利要求书

1.一种电路，包括：

存取晶体管，包括栅极区域、源极区域、以及漏极区域，所述存取晶体管是PMOS晶体管；以及

磁性组件，被连接到所述存取晶体管的所述漏极区域。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述磁性组件包括磁性隧道结，所述磁性隧道结被配置为具有第一磁阻状态和第二磁阻状态。

3.根据权利要求2所述的电路，其中所述磁性隧道结包括：

第一磁性层；

第二磁性层，被布置在所述第一磁性层下面；以及

阻挡层，被布置在所述第一磁性层和所述第二磁性层之间。

4.根据权利要求3所述的电路，其中所述第一磁性层包括在两个不同的磁阻状态之间转变的材料。

5.根据权利要求3所述的电路，其中所述第二磁性层包括固定的磁性状态。

6.根据权利要求2所述的电路，进一步包括：

字线，连接到所述存取晶体管的栅极区域；

位线，经由所述磁性组件而连接到所述存取晶体管的所述漏极区域；以及

源极线，连接到所述存取晶体管的所述源极区域，所述字线、所述位线、以及所述源极线使得所述存取晶体管的驱动电流能够在第一磁阻状态和第二磁阻状态之间转换所述磁性组件。

7.一种衬底，包括：

第一掺杂区域，包括p型掺杂剂的多子；

第二掺杂区域，在所述衬底中包括n型掺杂剂的多子；

第三掺杂区域，在所述衬底中包括p型掺杂剂的多子，所述第二掺杂区域被设置在所述第一掺杂区域和所述第三掺杂区域之间；以及

磁性隧道结，与所述第三掺杂区域电通信。

8.根据权利要求7所述的衬底，其中所述磁性隧道结包括：

第一磁性层，包括第一磁阻状态和第二磁阻状态；

第二磁性层，在所述第一磁性层下面并且包括固定的磁性状态；以及

隧道阻挡层，被布置在所述第一磁性层和所述第二磁性层之间。

9.根据权利要求8所述的衬底，其中所述磁性隧道结和第三掺杂区域与被配置为传导位线电压的金属位线进行电通信。

10.根据权利要求9所述的衬底，其中所述第二掺杂区域与被配置为传导字线电压的金属字线进行电通信。

11.根据权利要求10所述的衬底，其中所述第一掺杂区域与被配置为传导源极线电压的金属源极线进行电通信。

12.根据权利要求11所述的衬底，其中所述位线电压、所述字线电压、以及所述源极线电压以组合提供，该组合使得驱动电流能够被提供到所述磁性隧道结以实现所述磁性隧道结的第一磁性状态。

13.根据权利要求12所述的衬底，其中所述源极线电压具有比所述位线电压的绝对值更大的并且比所述字线电压的绝对值更大的绝对值。

14.根据权利要求11所述的衬底，其中所述位线电压、所述字线电压、以及所述源极线电压以组合提供，该组合使得驱动电流能够被提供到所述磁性隧道结以实现所述磁性隧道结的第二磁性状态。

15.根据权利要求14所述的衬底，其中所述位线电压具有比所述源极线电压的绝对值更大的并且比所述字线电压的绝对值更大的绝对值。

16.根据权利要求7所述的衬底，进一步包括：体掺杂区域，包括p型掺杂剂的多子，使得p型掺杂剂的数目超过n型掺杂剂的数目。

17.根据权利要求7所述的衬底，进一步包括：体掺杂区域，包括n型掺杂剂的多子。

18.一种用于操作电路的方法，包括：

从PMOS晶体管向磁性隧道结提供第一驱动电流，以实现所述磁性隧道结的第一磁阻状态；以及

从所述PMOS晶体管向所述磁性隧道结提供第二驱动电流，以实现所述磁性隧道结的第二磁阻状态。

19.根据权利要求18所述的方法，其中从PMOS晶体管提供第一驱动电流包括所述PMOS晶体管的源极电压具有比所述PMOS晶体管的栅极电压和漏极电压的绝对值更高的较高绝对值。

20.根据权利要求18所述的方法，其中从所述PMOS晶体管提供第二驱动电流包括所述PMOS晶体管的漏极电压具有比所述PMOS晶体管的栅极电压和漏极电压的绝对值更高的较高绝对值。