[发明专利]一种C形硅芯的搭接方法

说明书

【技术领域】

本发明属于硅芯的搭接技术，尤其是涉及一种C形硅芯或其它晶体材料的搭接方法。

【背景技术】

已知的，在西门子法生产多晶硅的过程中硅芯搭接技术是一项非常重要的技术，它主要应用于多晶硅生产的一个环节、即还原反应过程。所述的还原反应过程的原理是：还原反应是在一个密闭的还原炉中进行的，在装炉前先在还原炉内用硅芯搭接成若干个闭合回路，也就是行话中的“搭桥”；每个闭合回路都由两根竖硅芯和一根横硅芯形成“∏”字形结构；每一个闭合回路的两个竖硅芯分别接在炉底上的两个电极上，两个电极分别接直流电源的正负极，然后对硅芯进行加热，加热中一组搭接好的硅芯相当于一个大电阻，然后向密闭的还原炉内通入氢气和三氯氢硅，开始进行还原反应；这样，所需的多晶硅就会在硅芯表面生成。以上所述就是硅芯及其搭接技术在多晶硅生产中的应用。

在现有的西门子法生产多晶硅的过程中，由于所使用的硅芯直径通常为φ8mm左右的实心硅芯或经过线切割形成的方硅芯，搭接好的硅芯在正常还原反应过程中，生成的硅不断沉积在硅芯表面，硅芯的表面积也越来越大，反应气体分子对沉积面(硅芯表面)的碰撞机会和数量也随之增大，当单位面积的沉积速率不变时，表面积愈大则沉积的多晶硅量也愈多；因此在多晶硅生长时，还原反应时间越长，硅芯的直径越大，多晶硅的生长效率也越高，这样不仅可以大大提高生产效率，同时也降低了生产成本；但是现有的实心硅芯或方硅芯在还原中，都无法很好的克服由于搭接“实心硅芯或方硅芯”的硅芯强度较低，由此导致还原过程中所产生的硅芯倒伏现象，给生产带来不必要的麻烦和成本的增加；硅芯所述的倒伏现象是指硅芯在密闭的容器内进行生长，由于实心圆硅芯或方硅芯本身工艺所带来的后果是：

1)、实心硅芯；

实心硅芯的直径通常在8～10MM左右，由8～10MM生长至120～150MM为例，开始时生长较为缓慢，后期随着直径的加大，生长速度也随之加快；如果直接采用大直径的实心硅芯，则会造成硅芯本体的重量增加；并且在大直径实心硅芯的拉制过程中，由于要得到较大直径的硅芯，拉制速度要控制到很慢，生产效率低下；且生长过程中由于直径较大，拉直难度极高，并且每次仅可以少量的拉制，也就是拉制根数必将受到限制，对于加大直径问题现有技术中还有很多难点无法克服，同时大直径硅芯拉制所消耗的电能和保护性气体也随之增加，同时大直径硅芯还不便于后续加工和搬运；

2)、方硅芯；

目前市场上出现了线切割的方硅芯，由于是在线切割过程中，晶体受到金刚石线切割中的微震，使得成品方硅芯内出现较多肉眼难以察觉的微小裂痕，在硅芯生长通电的瞬问对于裂痕的冲击较大，使得硅芯生长过程中断裂或倒塌量大幅度增加，轻者导致该组硅芯无法生长，严重时导致停炉。

那么采用大直径的硅芯进行搭接来实现多晶棒的快速生长及提高硅芯自身的强度就成了一个本领域技术人员难以克服的技术壁垒；然，对于如何加大硅芯直径也是本领域技术人员的长期诉求。

【发明内容】

为了克服背景技术中的不足，本发明同族专利公开了C形硅芯的加工工艺，本发明则公开了对于C形硅芯后续使用的一种C形硅芯的搭接方法，本发明抗倒伏要远远好于现有实心圆形硅芯，并且本发明与实心圆形硅芯相比，具有重量基本相等，但直径远远大于实心硅芯的有益特点。

为了实现上述发明的目的，本发明采用如下技术方案：

一种C形硅芯的搭接方法，包括横C形硅芯和竖C形硅芯，所述横C形硅芯的两端分别通过榫卯接、插接或卡接与两根竖C形硅芯的上端连接形成“∏”字形结构。

所述的C形硅芯的搭接方法，所述横C形硅芯的两端通过榫卯接与两根竖C形硅芯的上端连接形成“∏”字形结构，在横C形硅芯的两端下部分别设置连接斜面，所述连接斜面与设置在两竖C形硅芯上端的连接斜面相对应，在横C形硅芯的两连接斜面上分别设有缩口卯槽或扩宽榫块，在竖C形硅芯上端的连接斜面上分别设有扩宽榫块或缩口卯槽，也就是横C形硅芯的两连接斜面上分别设为缩口卯槽时，所述两竖C形硅芯上端连接斜面上便分别设为扩宽榫块，由竖C形硅芯上端与横C形硅芯的两端卡接形成“∏”字形结构。

所述的C形硅芯的搭接方法，所述横C形硅芯的两端通过插接与两根竖C形硅芯的上端连接形成“∏”字形结构，所述插接为横C形硅芯的两端下部分别设有连接斜面，两根竖C形硅芯上端的相对一侧分别设有连接斜面，所述横C形硅芯的两端C形孔内分别插入“L”形接头的一端，两“L”形接头的另一端分别插在两竖C形硅芯的上端C形内形成“∏”字形结构。