[发明专利]一种封装框架

说明书

技术领域

本发明涉及一种封装框架，尤其涉及一种应用于半导体行业的封装框架。

背景技术

市场上普遍存在的COB光源封装基板多采用同一种形式，即在金属板上通过注塑成型工艺，将PPA材料与焊盘相结合，构成封装的框架，然后在框架中焊接芯片。

该PPA框架形状单一，如果需要对其进行修改，开模费用极高，而且对材料的要求也很高；同时该PPA框架与金属基板为一整体，如更换基板，则基板上需要进行相关的处理来完成该框架的注塑成型，工艺复杂。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种使用方便的封装框架。

本发明是这样实现的，一种封装框架，其包括封装基板以及固定在该封装基板上的FR4板，该封装基板包括裸铜平板热管以及设置在该平板热管外表面的镀层，该镀层从内而外依次包括亮铜层、镀镍层、镀银层以及防氧化层，该FR4板通过耐高温粘结胶固定在该封装基板上。

作为上述方案的进一步改进，该环氧玻璃纤维板包括第一膜层、与该第一膜层形状相同的第二膜层以及夹设在该第一膜层与该第二膜层之间的两个相对间隔设置的焊盘。

作为上述方案的进一步改进，该第一膜层开设有贯穿其自身的第一通孔以及两个形状一致的第二通孔，每个焊盘呈门形，该两个焊盘的一端延伸至该两个第二通孔的下方，该两个焊盘的中部部分延伸在该第一通孔内。

作为上述方案的进一步改进，该镀镍层的厚度范围为0.05~0.1μm。

作为上述方案的进一步改进，该镀银层为纯银层，该防氧化层为银的掺杂物层。

作为上述方案的进一步改进，该镀银层与该防氧化层的总体厚度范围为0.6~3.0μm。优选地，该镀银层与该防氧化层的总体厚度范围为1.0~1.5μm。更优选地，该镀银层与该防氧化层的总体厚度为1.2μm。

作为上述方案的进一步改进，该镀银层与该防氧化层的总体厚度范围为0.6~3.0μm，且该镀银层的厚度不低于1.0μm。优选地，镀银层与该防氧化层的总体厚度为1.2μm。

本发明提供的封装框架，由于其采用的封装基板，具有较高的反射率，且能直接在该封装基板上焊接半导体，同时从根本上解决芯片（半导体）热密度过高，无法将热量迅速导出的问题，保证芯片的寿命及性能，从而克服长久以来平板热管无法应用于半导体封装领域的偏见。因此，FR4板可以直接通过耐高温粘结胶固定在具有平板热管的封装基板上，从而与传统的封装框架相比，该封装基板费用低，工艺简单，可任意更改FR4板的形状，同时也不影响封装基板的更换。

附图说明

图1为本发明较佳实施方式提供的封装框架的立体图。

图2为图1中封装框架的立体分解图。

图3为图2中封装框架的部分立体分解图。

图4为图1中封装框架的封装基板的剖视示意图。

图5为图4中封装基板在高温高湿条件下的光通量变化趋势图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

请一并参阅图1、图2及图3，其为本发明较佳实施方式提供的适用于半导体行业的封装框架200的结构示意图。封装框架200包括封装基板100以及固定在封装基板100上的环氧玻璃纤维板（FR4板）30，FR4板30通过耐高温粘结胶固定在封装基板100上。

FR4板30包括第一膜层39、与第一膜层39形状大致相同的第二膜层38以及夹设在第一膜层39与第二膜层38之间的两个相对间隔设置的焊盘40。第一膜层39开设有贯穿其自身的第一通孔31以及两个形状一致的第二通孔33。每个焊盘40大致呈门形，两个焊盘40的一端延伸至两个第二通孔33的下方，从两个第二通孔33内的焊盘40上设置引线既可作为正电极或负电极使用。焊盘40的中部部分延伸在第一通孔内31，以方便焊接LED芯片组。

在焊接LED芯片（图未示）时，直接将LED芯片焊接在第一通孔31内，且LED芯片电性连接在两个焊盘40之间，此时，只要在两个第二通孔33处搭接电源即可使LED芯片发光。

请结合图4，封装基板100包括裸铜平板热管10以及设置在平板热管10外表面的镀层20。镀层20将平板热管10包裹在内，镀层20包括从内而外的四层结构：第一层为亮铜层21；第二层为镀镍层23；第三层为镀银层25；第四层为防氧化层27。