[发明专利]一种LED发光模组无效
申请号: | 201110380237.3 | 申请日: | 2011-11-25 |
公开(公告)号: | CN102427081A | 公开(公告)日: | 2012-04-25 |
发明(设计)人: | 俞国宏 | 申请(专利权)人: | 俞国宏 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/64;H01L33/22 |
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地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 led 发光 模组 | ||
技术领域
本发明涉及一种LED发光模组结构。
背景技术
将LED直接作为照明灯具具有以下优点:1、LED消耗能量较同光效的白炽灯减少80%;2、LED无有害金属汞,对环境不会污染;3、LED 使用低压电源,供电电压在 6-24V 之间,根据产品不同而异,所以它是一个比使用高压电源更安全的电源,特别适用于公共场所和家庭使用。
LED灯具虽然具有众多的优点,但是LED直接作为照明灯会产生大量的热量,如果LED散发出的热量不能及时散出,将会影响到LED灯具的使用寿命以及会影响到LED灯具的亮度。
此外,现有的LED发光模组都需要额外设置的整流电路和外加电阻配合使用,因而会增加了LED发光模组生产成本以及电路连接的复杂性。尤其是LED发光模组内置空间较小,增加额外的电路和器具将会影响到散热效果和使用寿命。
发明内容
本发明设计了一种LED发光模组,其解决了以下技术问题:
(1)传统LED发光模组使用时容易产生大量的热量,不易散出并且会影响到LED发光模组的使用寿命和亮度。
(2)现有的LED发光模组使用都需要额外设置的整流电路和外加电阻配合使用,因而会增加了LED发光模组生产成本以及电路连接的复杂性。
为了解决上述存在的技术问题,本发明采用了以下方案:
一种LED发光模组,包括发光单元(10)和底座(20),其特征在于:在所述底座(20)上设有容置槽(21),所述发光单元(10)放置在所述底座(20)中,所述发光单元(10)包括一电路板(12),在所述电路板(12)上连接有多个发光二极管芯片(11),所述多个发光二极管芯片(11)为集成电阻的发光二极管芯片(110)。
进一步,所述集成电阻的发光二极管芯片(110)包括左侧半导体电阻(R1)和右侧半导体电阻(R2),在所述左侧半导体电阻(R1)和所述右侧半导体电阻(R2)之间串联有多个发光二极管(L1、L2、L3),所述左侧半导体电阻(R1)、所述右侧半导体电阻(R2)以及所述多个发光二极管除了共用一衬底(1)层外分别由独立的缓冲层(2)、N型层(3)、N型分别限制层(4)、有源区结构(5)、P型分别限制层(6)、P型层(7)、P型欧姆接触层(8)以及P型金属欧姆接触层(9)由下至上组合而成;相邻两个发光二极管通过N型层(3)电极与P型金属欧姆接触层(9)电极连接实现串联;所述左侧半导体电阻(R1)和所述右侧半导体电阻(R2)分别都设有两个接触电极,所述左侧半导体电阻(R1)或所述右侧半导体电阻(R2)的一个接触电极与电源的正极或负极连接,另外一个接触电极与相邻发光二极管的N型层(3)或P型金属欧姆接触层(9)连接。
进一步,所述左侧半导体电阻(R1)、所述右侧半导体电阻(R2)以及多个发光二极管的外表都包裹一层绝缘介质膜(13),但多个发光二极管的N型层(3)电极、多个发光二极管的P型金属欧姆接触层(9)电极以及所述左侧半导体电阻(R1)和所述右侧半导体电阻(R2)的各自两个接触电极上方的绝缘介质膜(13)都去除。
进一步,所述左侧半导体电阻(R1)的P型金属欧姆接触层(9)被P型金属欧姆接触层第一隔离缺口(17)分离成两个接触电极;所述右侧半导体电阻(R2)P型金属欧姆接触层(9)被P型金属欧姆接触层第二隔离缺口(18)分离成两个接触电极。
进一步,所述衬底(1)由上凹孔结构(26)和下凹孔结构(27)组合而成。
进一步,所述上凹孔结构(26)的各个凹孔直径大于都所述下凹孔结构(27)各个凹孔的直径。
进一步,在所述底座(20)上开设一通风口(23),在所述通风口(23)通过一通风框(30)与所述盖体(40)连接,在所述盖体(40)上开设多个散热长孔(41)。
进一步,在所述底座(20)周缘上开设多个散热孔(22)。
进一步,所述底座(20)和所述盖体(40)为金属铜或铝。
该LED发光模组与传统的LED模组相比,具有以下有益效果:
(1)本发明由于发光二极管芯片为集成电阻的发光二极管芯片,所以使得电路更加简单,无需使用任何分压电阻,使得电路板的设计更加合理,减少了散热量和制造成本。
(2)本发明集成电阻的发光二极管芯片由于是用一整块芯片制作多个发光二极管,符合LED发光模组中需要大量发光二极管要求形成矩阵结构,因而可以按照客户需求制定成多个发光二极管,并且制作工艺上更加简单和成本也更低。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的