[发明专利]透明导电层压薄膜、其制造方法以及包含该透明导电层压薄膜的触摸屏

权利要求书

1.一种透明导电层压薄膜，其包括：

光透明基底；

利用等离子体增强化学气相沉积法层压在所述光透明基底上至10nm～300nm厚度、包含无机氧化物、具有折射率为1.3～2.5的第一层压体；

利用等离子体增强化学气相沉积法层压在所述第一层压体上至10nm～300nm厚度、包含与所述第一层压体所含的无机氧化物不同的无机氧化物的第二层压体；和

层压在所述第二层压体上至10～100nm厚度的透明导电层。

2.根据权利要求1所述的透明导电层压薄膜，在所述透明导电层的厚度为50nm以上的情况下，所述第二层压体的折射率比所述第一层压体的折射率大。

3.根据权利要求1所述的透明导电层压薄膜，所述第一层压体和第二层压体的总厚度是50～350nm。

4.根据权利要求1所述的透明导电层压薄膜，所述透明导电层包含氧化铟锡、氧化锡锑和氧化铟锌中的一种以上。

5.根据权利要求1所述的透明导电层压薄膜，所述光透明基底包含玻璃或塑料薄膜，所述光透明基底的厚度为25um～350um。

6.根据权利要求1所述的透明导电层压薄膜，所述第二层压体的色差仪的L、a*、b*值中透射色坐标值为-7＜b*＜2。

7.根据权利要求1所述的透明导电层压薄膜，所述光透明基底在一侧或两侧包含透明硬涂膜。

8.一种透明导电层压薄膜的制造方法，其包括：

利用等离子体增强化学气相沉积法在光透明基底上层压包含无机氧化物、折射率为1.3～2.5的第一层压体至10nm～300nm的厚度；

利用等离子体增强化学气相沉积法在所述第一层压体上层压包含与所述第一层压体所含的无机氧化物不同的无机氧化物的第二层压体至10nm～300nm的厚度；和

在所述第二层压体上层压透明导电层至10～100nm的厚度。

9.根据权利要求8所述的透明导电层压薄膜的制造方法，所述等离子体增强化学气相沉积法包括卷对卷方式的等离子体增强化学气相沉积法。

10.根据权利要求8所述的透明导电层压薄膜的制造方法，层压所述透明导电层包括利用选自由气相沉积法、离子蚀刻法、溅射法、化学气相沉积法和蚀刻法组成的组中的一种以上的方法和卷对卷工序连续形成所述透明导电层。

11.根据权利要求8所述的透明导电层压薄膜的制造方法，其进一步包括在层压所述透明导电层后在120℃～150℃下进行热处理，使所述透明导电层结晶。

12.一种触摸屏，其包含根据权利要求1至7中任一项所述的透明导电层压薄膜。