[发明专利]相变材料的制备方法

权利要求书

1.一种相变材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成非晶Si-Sb_xTe_1-x材料层，其中0.1≤x≤0.9；

在所述非晶Si-Sb_xTe_1-x复合材料的结晶温度之上，对所述Si-Sb_xTe_1-x层执行第一次退火工艺，使得其中的非晶Si和Sb_xTe_1-x晶体形成分相；

将退火后分相的非晶Si与Sb_xTe_1-x晶体的复合材料置于氢气氛中执行第二次退火工艺，使其中的非晶Si转变为微晶Si以形成微晶Si-Sb_xTe_1-x复合相变材料；

对所述微晶Si-Sb_xTe_1-x复合相变材料执行加热退火脱氢工艺。

2.根据权利要求1所述的相变材料的制备方法，其特征在于，形成所述非晶Si-Sb_xTe_1-x材料层的方法为物理气相沉积PVD工艺。

3.根据权利要求1所述的相变材料的制备方法，其特征在于，对所述Si-Sb_xTe_1-x层执行第一次退火工艺包括：将所述Si-Sb_xTe_1-x层置于氮气氛中，退火温度为250摄氏度至450摄氏度，退火时间为3分钟至5分钟。

4.根据权利要求1或3所述的相变材料的制备方法，其特征在于，将退火后分相的所述Si-Sb_xTe_1-x材料至于氢气氛中执行第二次退火工艺包括：退火温度为200摄氏度至500摄氏度，退火时间为10分钟至30分钟。

5.根据权利要求1所述的相变材料的制备方法，其特征在于，所述加热退火脱氢工艺包括：将所述微晶Si-Sb_xTe_1-x复合相变材料在300摄氏度至600摄氏度的退火温度下保温10分钟至30分钟脱氢。

6.根据权利要求1所述的相变材料的制备方法，其特征在于，所述微晶Si的晶粒尺寸为3纳米至20纳米。