[发明专利]背接触式光伏电池的制备方法无效
| 申请号： | 201110374119.1 | 申请日： | 2011-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN102403407A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 吴坚;王栩生;章灵军 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋;陆金星 |
| 地址： | 215129 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触 式光伏 电池 制备 方法 | ||
1.一种背接触式光伏电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1) 在硅片的受光面进行制绒；然后在其受光面扩散制结，在硅片受光面及周边形成PN结；
(2) 去除磷硅或硼硅玻璃后，在上述硅片受光面及周边PN结上设置透明导电膜；
(3) 对硅片周边进行刻蚀，去除硅片周边的透明导电膜和PN结；
(4) 在上述硅片上开设孔洞，然后在硅片受光面的透明导电膜上镀设减反射膜；
(5) 在上述硅片的非镀膜面上制备贯孔电极、背金属电极、背钝化场，即可得到所述背接触式光伏电池；所述贯孔电极与透明导电膜电连通。
2.根据权利要求1所述的背接触式光伏电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中孔洞的数量为2~500个。
3.根据权利要求2所述的背接触式光伏电池的制备方法，其特征在于：所述孔洞的数量为9~100个。
4.根据权利要求1所述的背接触式光伏电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中的透明导电膜为ITO薄膜、SnO2薄膜、In2O3薄膜、ZnO薄膜、Cd2SnO4薄膜或FTO薄膜。
5.根据权利要求1所述的背接触式光伏电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中的透明导电膜的厚度为80~1000 nm。
6.根据权利要求5所述的背接触式光伏电池的制备方法，其特征在于：所述透明导电膜的厚度为100~500 nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司，未经苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
