[发明专利]一种LPCVD工艺腔加热系统有效
| 申请号: | 201110372325.9 | 申请日: | 2011-11-21 |
| 公开(公告)号: | CN102400111A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
| 发明(设计)人: | 乔志强 | 申请(专利权)人: | 汉能科技有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 102209 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 lpcvd 工艺 加热 系统 | ||
1.一种LPCVD工艺腔加热系统,包括控制系统、加热部件、被加热体三部分;其中,被加热体为加热板(1);加热部件包括四根加热丝(2),加热丝(2)嵌入到加热板(1)中;控制系统包括四个温控器(3)和四个固态继电器(4),四个温控器(3)分别对应四根加热丝(2),每个温控器(3)与对应的固态继电器(4)通过两根控制线连接,固态继电器(4)的输出端与加热丝(2)连接。
2.根据权利要求1所述的LPCVD工艺腔加热系统,其特征在于所述加热丝(2)中三个加热丝(2)嵌入在加热板(1)下表面,一个加热丝(2)嵌入在加热板(1)上表面的边缘条。
3.根据权利要求2所述的LPCVD工艺腔加热系统,其特征在于所述嵌入在加热板(1)下表面的加热丝(2)的位置分布通过在整个腔室内对温度分布有影响的冷却系统、加热板(1)的尺寸、腔室尺寸、喷淋板的尺寸、喷淋板孔分布等要素进行模拟后得出。
4.根据权利要求2所述的LPCVD工艺腔加热系统,其特征在于所述嵌入在加热板(1)下表面的三个加热丝(2)为环形内外分布。
5.根据权利要求1所述的LPCVD工艺腔加热系统,其特征在于所述加热板(1)的上表面与TCO玻璃接触且没有空隙。
6.根据权利要求1所述的LPCVD工艺腔加热系统,其特征在于所述温控器(3)为使用热电偶、铂电阻、模拟量电压输入、模拟量电流输入中一种或几种的多重输入型。
7.根据权利要求1所述的LPCVD工艺腔加热系统,其特征在于所述温控器(3)的调整功能包括自动整定、自我整定选择。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





