[发明专利]具有过流保护功能的隔离式IGBT驱动电路

说明书

技术领域

本发明涉及电子技术领域，特别是涉及一种具有过流保护功能的隔离式IGBT驱动电路。

背景技术

绝缘门极双极型晶体管IGBT是20世纪80年代中期发展起来的一种新型复合器件，由于将MOSFET和GTR的优点集于一身，所以它既具有输入阻抗高、速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有通态电压低、耐压高地优点，因此发展很快，倍受欢迎，在电机控制、电力传动、大功率开关电源、逆变器等电子电力装置中，IGBT已成为理想的功率器件。

然而在其使用过程中，驱动电路中往往没有过流保护电路，当电路中过流时，不能及时的关断IGBT，使得电路因为过流而造成IGBT损坏，因此电路不具有过流保护功能，不能起到保护电路起作用。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种具有过流保护功能的隔离式IGBT驱动电路，能够具有过流保护功能，当过流时，保护电路起作用，及时的关断IGBT，防止IGBT损坏。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种具有过流保护功能的隔离式IGBT驱动电路，包括：RS锁存器、开通电路、关断电路和光耦，所述RS锁存器包括两个与非门，所述开通电路一端经光耦接驱动信号，另一端接IGBT栅极，将IGBT的G-E端电压钳位在+15V，快速开通IGBT；所述关断电路接IGBT的源极，将IGBT的G-E端电压钳位在-5V, 快速关断IGBT；所述RS锁存器与光耦相连，使得光耦一直处于导通状态。其特征在于，具有过流保护功能的隔离式IGBT驱动电路还包括过流保护电路，过流保护电路与IGBT漏极相连，包括：第一稳压二极管、第二稳压二极管、第三稳压二极管、第一NPN晶体三极管、第二NPN晶体三极管、第一电容和第一二极管，所述第一稳压二极管负极经第一二极管接IGBT漏极，正极接第一NPN晶体三极管基极，所述第一NPN晶体三极管发射极接地，集电极经第三稳压二极管接IGBT栅极，所述第二NPN晶体三极管基极接第二稳压二极管正极，发射极接地，集电极接24V单电源。

在本发明一个较佳实施例中，所述开通电路包括：第三NPN晶体三极管、第四NPN晶体三极管、第一电阻、第四稳压二极管、第五稳压二极管和第六稳压二极管，所述第三NPN晶体三极管基极与光耦相连，发射极接第四NPN晶体三极管基极，集电极与第四NPN晶体三极管集电极接24V单电源，所述第四NPN晶体三极管的发射极经第一电阻接IGBT栅极，所述串联第四稳压二极管和第五稳压二极管并接在IGBT栅极和源极，所述第四稳压二极管一端接IGBT源极，一端接地。

在本发明一个较佳实施例中，所述关断电路包括：第三NPN晶体三极管、第一PNP晶体三极管、第二电阻和第四稳压二极管，所述第一PNP晶体三极管的基极经第三NPN晶体三极管发射极接光耦，发射极与第四NPN晶体三极管发射极相连，集电极直接接地。所述第四稳压二极管负极经第二电阻接24V单电源，正极接地。

在本发明一个较佳实施例中，所述RS锁存器上接有一复位开关，用于重新启动驱动电路。

在本发明一个较佳实施例中，所述具有过流保护功能的隔离式IGBT驱动电路还包括延时电路，所述延时电路包括第三电阻和第二电容，所述第三电阻和第二电容经第二稳压二极管接第二NPN晶体三极管基极，用于使第二NPN晶体三极管在正常状态下保持截止状态。

本发明的有益效果是：本发明具有过流保护功能的隔离式IGBT驱动电路中增加了过流保护电路，从而使得电路过流时，能够及时的关断IGBT，防止IGBT的损坏，从而起到有效的保护驱动电路的作用。

附图说明

图1是本发明具有过流保护功能的隔离式IGBT驱动电路的原理示意图；

附图中各部件的标记如下：光耦U1、过流保护电路1、开通电路2、关断电路3、RS锁存器4、延时电路5。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。

请参阅图1本发明实施例包括：光耦U1、过流保护电路1、开通电路2、关断电路3和RS锁存器4，光耦U1一端接驱动信号，另一端接开通电路2，开通电路2另一端接IGBT栅极，关断电路3和过流保护电路1分别接IGBT的源极和漏极，RS锁存器4一端接光耦U1，另一端与过流保护电路相连。