[发明专利]具有过流保护功能的隔离式IGBT驱动电路无效
申请号: | 201110372180.2 | 申请日: | 2011-11-22 |
公开(公告)号: | CN102412565A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 马进 | 申请(专利权)人: | 常熟市董浜镇华进电器厂 |
主分类号: | H02H7/20 | 分类号: | H02H7/20;H02H3/08 |
代理公司: | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人: | 张利强 |
地址: | 215500 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 保护 功能 隔离 igbt 驱动 电路 | ||
1.一种具有过流保护功能的隔离式IGBT驱动电路,包括:RS锁存器、开通电路、关断电路和光耦,所述RS锁存器包括两个与非门,所述开通电路一端经光耦接驱动信号,另一端接IGBT栅极,将IGBT的G-E端电压钳位在+15V,快速开通IGBT;所述关断电路接IGBT的源极,将IGBT的G-E端电压钳位在-5V, 快速关断IGBT;所述RS锁存器与光耦相连,使得光耦一直处于导通状态。
2.其特征在于,具有过流保护功能的隔离式IGBT驱动电路还包括过流保护电路,过流保护电路与IGBT漏极相连,包括:第一稳压二极管、第二稳压二极管、第三稳压二极管、第一NPN晶体三极管、第二NPN晶体三极管、第一电容和第一二极管,所述第一稳压二极管负极经第一二极管接IGBT漏极,正极接第一NPN晶体三极管基极,所述第一NPN晶体三极管发射极接地,集电极经第三稳压二极管接IGBT栅极,所述第二NPN晶体三极管基极接第二稳压二极管正极,发射极接地,集电极接24V单电源。
3.根据权利要求1所述的具有过流保护功能的隔离式IGBT驱动电路,其特征在于,所述开通电路包括:第三NPN晶体三极管、第四NPN晶体三极管、第一电阻、第四稳压二极管、第五稳压二极管和第六稳压二极管,所述第三NPN晶体三极管基极与光耦相连,发射极接第四NPN晶体三极管基极,集电极与第四NPN晶体三极管集电极接24V单电源,所述第四NPN晶体三极管的发射极经第一电阻接IGBT栅极,所述串联第四稳压二极管和第五稳压二极管并接在IGBT栅极和源极,所述第四稳压二极管一端接IGBT源极,一端接地。
4.根据权利要求1所述的具有过流保护功能的隔离式IGBT驱动电路,其特征在于,所述关断电路包括:第三NPN晶体三极管、第一PNP晶体三极管、第二电阻和第四稳压二极管,所述第一PNP晶体三极管的基极经第三NPN晶体三极管发射极接光耦,发射极与第四NPN晶体三极管发射极相连,集电极直接接地。
5.所述第四稳压二极管负极经第二电阻接24V单电源,正极接地。
6.根据权利要求1所述的具有过流保护功能的隔离式IGBT驱动电路,其特征在于,所述RS锁存器上接有一复位开关,用于重新启动驱动电路。
7.根据权利要求1所述的具有过流保护功能的隔离式IGBT驱动电路,其特征在于,所述具有过流保护功能的隔离式IGBT驱动电路还包括延时电路,所述延时电路包括第三电阻和第二电容,所述第三电阻和第二电容经第二稳压二极管接第二NPN晶体三极管基极,用于使第二NPN晶体三极管在正常状态下保持截止状态。
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