[发明专利]化学气相沉积法结合热喷镀法制造高性能纳米导电玻璃

说明书

技术领域

本发明涉及电子薄膜材料制造技术领域，尤指化学气相沉积法结合热喷镀法制造高性能纳米导电玻璃。

背景技术

ITO导电薄膜有着广泛的用途，如平面显示、太阳能光伏发电、微波屏蔽、高楼汽车和飞机高空的防雾除霜等高科技领域。

ITO导电玻璃生产方法基本上依然依靠磁控溅射法，该法生产稳定，质量比较可靠，但该方法有以下几个缺点：1、原材料“靶材”不但昂贵，制造特别困难；2、制造设备复杂，贵重，环境要求高；3、薄膜与玻璃的结合牢固度不够高；4、透明率难于提高，只能保证在80％左右；5、表面平整度不高，往往出现几十纳米至数微米的尖刺，影响新型显示技术OLED的发展，6、所制造的导电玻璃规格、尺寸受限。

发明内容

为解决已有技术之不足，本发明化学气相沉积法结合热喷法制造高性能纳米导电玻璃，在第一层透明导电薄膜16的化学气相沉积过程中，将掺有氟化氨的四氯化锡溶液流经装有洁净高纯度石英砂的储槽7，带有少量高活性的硅质使制成的该透明导电薄膜16与基材的结合更牢固，透明度也高；第二层透明导电薄膜17的热喷镀过程中，使用了水热合成的无添加剂的高导电高透明纳米ITO水分散液并掺加少量氟化铵，使第二层透明导电薄膜17与第一层透明导电薄膜16以及基材玻璃片5的结合更牢固，透明度，导电性能更优良，尖刺等表面缺陷减少，所制造的导电玻璃规格、尺寸可依据玻璃基片的大小而定。

本发明化学气相沉积法结合热喷镀法制造高性能导电玻璃的实现，不使用贵重的磁控溅射设备，不使用制造困难的原材料ITO“靶材”而制成的纳米导电玻璃，其透明导电薄膜与基材结合牢固，表面缺陷少，导电性能好，透光率高。

附图说明

附图为高性能导电玻璃制造流程示意图

图中：1、气体储槽I

2、流量计I

3、扩散系统I

4、喷神喷嘴I

5、玻璃片

6、溶液储槽I

7、高纯度石英砂储槽

8、流量计II

9、溶液储槽II

10、流量计III

11、扩散系统II

12、喷射喷嘴II

14、气体储槽II

15、流量计IV

16、第一层透明导电膜

17、第二层透明导电膜

18、传送带

19、加热器

具体实施方式

为了更好地理解和实施，下面结合附图具体说明本专利“化学气相沉积法结合热喷镀法制造高性能纳米导电玻璃”的具体实施方式：

(一)、原材料的标准和准备

使用高纯去离子水；洁净高纯度石英砂；空气经净化使用；使用的玻璃片为纳钙硅白玻璃，用专用超声清洗机洗净并干燥后使用。

SnCl₄.(SnCl₄.5H₂O).NH4F.优级纯。

ITO水分散液按专利20061004348.X制造。

第一层透明导电薄膜用溶液含SnCl₄6％NH₄F0.08.

第二层透明导电薄膜用溶液含纳米ITO 5％/NH₄F 0.06.

开启加热器19，使处于喷射喷嘴14和喷射喷嘴II12下的玻璃片温度在450摄氏度至480摄氏度。

传送带18按设定程序运行。

(二)、第一层透明导电薄膜16的制作

将溶液储槽16中的溶液经过高纯度石英砂储槽7、流量计II8进入扩散系统I3；将气体储槽1中的压缩空气经流量计I2进入扩散系统I3；上述进入扩散系统I3的溶液和气体经扩散形成雾状物，雾状物经喷射喷嘴I4喷向已被预热的玻璃片5上，经化学反应在玻璃片5上制成第一层透明导电薄膜16。

(三)、第二层透明导电薄膜17的制作

将溶液储槽II9中的含NH₄F的纳米ITO液体经计量计III10进入扩散系统II11；气体储槽II14中的压缩气经流量计IV15进入扩散系统II11；上述进入扩散系统的液体和气体经扩散形成雾状物，雾状物经喷射喷嘴喷向镀有第一层透明导电薄膜16的玻璃片5，经蒸发形成第二层透明导电薄膜17。

上述制品经退火冷却即为成品。

以上所述实施方式，仅仅是对本发明的优选实施方式进行描述，并非对本发明的范围进行限定，在不脱离本发明技术精神的前提下，本领域有关人员对本发明的技术方案作出的各种变形和改进，均应落入本发明的权利要求书确定的保护范围内。