[发明专利]改善MOS器件载流子迁移率的方法以及MOS器件制造方法无效
| 申请号： | 201110366179.9 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102394220A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 谢欣云;黄晓橹;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 mos 器件 载流子 迁移率 方法 以及 制造 | ||
1.一种改善MOS器件载流子迁移率的方法，其特征在于包括：
栅极氧化层形成步骤，用于在衬底的器件区域上形成栅极氧化层，所述器件区域包括将要制成PMOS器件的区域以及将要制成NMOS器件的区域；
氮化步骤，用于对器件结构执行分耦式等离子体氮化；其中，通过调节分耦式等离子体氮化工艺的时间和/或功率，使得氮在栅氧中的分布远离SiO2-Si衬底界面；
氮化后退火步骤，用于在所述氮化步骤之后执行氮化后退火；其中通过控制氮化后退火的时间和/或温度，使得氮在栅氧中的分布远离SiO2-Si衬底界面；
多晶硅层形成步骤，用于在晶片表面形成多晶硅层；以及
氮元素注入步骤，用于利用掩膜掩盖将要制成PMOS器件的区域，并暴露将要制成NMOS器件的区域，并且在布置了所述掩膜之后，执行氮元素注入。
2.根据权利要求1所述的改善MOS器件载流子迁移率的方法，其特征在于，所述氮元素注入步骤在NMOS器件的离子注入过程中执行。
3.根据权利要求1或2所述的改善MOS器件载流子迁移率的方法，其特征在于，在所述栅极氧化层形成步骤中，根据最后所需栅氧电性厚度目标，通过调节硅基氧化物氧化时间控制氧化层厚度。
4.根据权利要求1或2所述的改善MOS器件载流子迁移率的方法，其特征在于，在所述氮化后退火步骤中，根据最终PMOS器件中期望的氮元素轮廓分布要求来控制氮化后退火的时间及温度，使得在氮在栅氧中的分布远离SiO2-Si衬底界面的情况下满足最终PMOS器件中期望的氮元素轮廓分布要求。
5.根据权利要求1或2所述的改善MOS器件载流子迁移率的方法，其特征在于，在所述氮元素注入步骤中，氮元素注入剂量介于1e14至2e15原子/cm2之间。
6.根据权利要求1或2所述的改善MOS器件载流子迁移率的方法，其特征在于，在氮元素注入步骤中，根据多晶硅层的厚度来决定氮元素的注入剂量。
7.根据权利要求1或2所述的改善MOS器件载流子迁移率的方法，其特征在于，所述MOS器件是CMOS器件。
8.一种MOS器件制造方法，其特征在于材料与根据权利要求1至7之一所述的所述的改善MOS器件载流子迁移率的方法。
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