[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在半导体衬底之上形成沿着一个方向排列的多个线；

在所述半导体衬底之上形成掩模图案，其中所述掩模图案与所述线相交叉；以及

通过执行离子注入工艺在所述线之间的所述半导体衬底中形成结。

2.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：在形成所述线之前，在所述半导体衬底中沿着与所述线垂直的方向形成有源区和隔离区。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述掩模图案由光致抗蚀剂形成。

4.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述掩模图案的步骤包括以下步骤：

在所述半导体衬底之上形成用于所述掩模图案的光致抗蚀剂层以使所述线被覆盖；以及

通过执行曝光和显影工艺沿着与所述线垂直的方向形成光致抗蚀剂图案。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述线包括栅线，所述栅线是通过在所述半导体衬底之上顺序地层叠隧道电介质层、浮栅、电介质层和控制栅并使所述隧道电介质层、所述浮栅、所述电介质层和所述控制栅图案化来形成的。

6.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：

去除所述掩模图案；以及

在形成所述结之后，在已经去除了所述掩模图案的所述半导体衬底之上形成绝缘层以使所述线被覆盖。

7.如权利要求6所述的方法，其中，所述绝缘层由氧化物形成。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述掩模图案被形成在要形成阱拾取单元的区域上。

9.如权利要求6所述的方法，还包括以下步骤：

刻蚀所述绝缘层的一部分以使要形成阱拾取单元的区域暴露出来；以及

通过执行离子注入工艺而在暴露出的所述半导体衬底中形成所述阱拾取单元。

10.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在半导体衬底上以矩阵的形式限定出多个存储器单元块区域；

在所述半导体衬底上形成沿着一个方向排列的多个栅线；

在所述存储器单元块区域之间的虚设区域上形成多个掩模图案，其中所述掩模图案与所述栅线相交叉；

在所述掩模图案之间暴露出的半导体衬底中形成结；

去除所述掩模图案；

在已经去除了所述掩模图案的所述半导体衬底之上形成绝缘层以使所述栅线被覆盖；

刻蚀所述绝缘层的一部分以使所述虚设区域中要形成阱拾取单元的区域暴露出来；以及

在所述暴露出的虚设区域中形成阱拾取单元。

11.如权利要求10所述的方法，其中，所述掩模图案包括与所述栅线垂直的多个光致抗蚀剂图案。

12.如权利要求10所述的方法，其中，形成所述掩模图案的步骤包括以下步骤：

在所述半导体衬底之上形成用于所述掩模图案的光致抗蚀剂层以使所述栅线被覆盖；以及

通过执行曝光和显影工艺来形成与所述栅线垂直的光致抗蚀剂图案。

13.如权利要求10所述的方法，其中，所述栅线是通过在所述半导体衬底之上顺序地层叠隧道电介质层、浮栅、电介质层和控制栅并将所述隧道电介质层、供所述浮栅用的导电层、电介质层和供所述控制栅用的导电层图案化来形成的。

14.如权利要求10所述的方法，其中，形成所述阱拾取单元的步骤包括以下步骤：

在所述绝缘层之上形成用于所述阱拾取单元的掩模图案，所述掩模图案在要形成所述阱拾取单元的区域中具有开口部分；

使用用于所述阱拾取单元的所述掩模图案作为刻蚀掩模来刻蚀所述绝缘层的一部分，以暴露出所述半导体衬底中的要形成所述阱拾取单元的一部分；以及

通过执行离子注入工艺而在暴露出的所述半导体衬底中形成所述阱拾取单元。