[发明专利]静态随机访问存储器及其控制方法

权利要求书

1.一种静态随机访问存储器，包括用于传输写入数据的写位线、用于读出数据的读位线、以及至少一个静态随机访问存储器单元，所述静态随机访问存储器单元包括：

反相器组；

写位线访问开关，连接于所述写位线与所述反相器组的输入端口之间，用于控制所述写位线与所述反相器组输入端口之间的断开和连接；

读位线访问开关，连接于所述反相器组的输出端口与所述读位线之间；以及

读操作开关，连接于所述读位线访问开关与地线或供电网络之间，用于控制所述读位线访问开关与所述地线或供电网络之间的断开和连接，

其中，所述反相器组输出端口的输出电压对所述读位线访问开关进行控制，以控制所述读位线与所述读操作开关的断开和连接。

2.如权利要求1所述的静态随机访问存储器，其中所述反相器组包括彼此交叉耦合的第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的输入端为节点1、输出端为节点2，所述第二反相器的输入端为节点2、输出端为节点1。

3.如权利要求2所述的静态随机访问存储器，其中所述反相器组的输入端口为节点1，输出端口为节点2。

4.如权利要求2所述的静态随机访问存储器，其中所述反相器组的输入和输出端口均为节点1。

5.如权利要求2-4中任意一项所述的静态随机访问存储器，其中所述第二反相器包括在所述供电网络与所述地线之间串联连接的第一晶体管和第二晶体管，所述第一反相器包括在所述供电网络与所述地线之间串联连接的第三晶体管和第四晶体管。

6.如权利要求5所述的静态随机访问存储器，其中所述读位线访问开关包括第五晶体管，所述读操作开关包括第六晶体管。

7.如权利要求6所述的静态随机访问存储器，其中所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管具有第一阈值，所述第四晶体管具有第一阈值、第二阈值或第三阈值，所述第五晶体管和所述第六晶体管中的每一个具有第一阈值、第二阈值或第三阈值，其中所述第一阈值大于所述第二阈值，所述第二阈值大于所述第三阈值。

8.如权利要求7所述的静态随机访问存储器，其中，

所述写位线访问开关由具有第三阈值的晶体管构成，所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管不同时具有第三阈值；或者

所述写位线访问开关由具有第一阈值或第二阈值的晶体管构成，所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管中的每一个具有第一阈值、第二阈值或第三阈值。

9.如权利要求1所述的静态随机访问存储器，其中所述写位线访问开关为单个晶体管或由多个晶体管构成的器件网络。

10.如权利要求1所述的静态随机访问存储器，其中所述读位线访问开关为单个晶体管或由多个晶体管构成的器件网络。

11.如权利要求1所述的静态随机访问存储器，其中所述读操作开关为单个晶体管或由多个晶体管构成的器件网络。

12.如权利要求9-11中任意一项所述的静态随机访问存储器，其中所述反相器组包括由第一晶体管和第二晶体管组成的第二反相器以及由第三晶体管和第四晶体管组成的第一反相器，其中组成所述写位线访问开关的晶体管、组成所述读位线访问开关的晶体管、组成所述读操作开关的晶体管、以及组成所述反相器组的晶体管中的每一个晶体管具有第一阈值、第二阈值或第三阈值。

13.如权利要求12所述的静态随机访问存储器，其中

组成所述写位线访问开关的晶体管具有第三阈值，组成所述读位线访问开关的晶体管、组成所述读操作开关的晶体管、以及所述第四晶体管不同时具有第三阈值；或者

组成所述写位线访问开关的晶体管具有第一阈值或第二阈值，组成所述读位线访问开关的晶体管、组成所述读操作开关的晶体管、以及所述第四晶体管中的每一个晶体管具有第一阈值、第二阈值或第三阈值。

14.如权利要求1所述的静态随机访问存储器，其中所述读操作开关分别设置于每个所述静态随机访问存储器单元中、或者被静态随机访问存储器阵列中同一行的多个存储单元共享。