[发明专利]带外围电路的分离栅极式快闪存储器的制作方法

权利要求书

1.一种带外围电路的分离栅极式快闪存储器的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体基底，所述半导体基底包括第一区域和第二区域；

在所述第一区域形成栅极叠层，所述栅极叠层从下至上依次包括浮置栅极、

绝缘层、控制栅极、硬掩膜层，所述栅极叠层的侧面覆盖侧墙；

淀积第一多晶硅层，所述第一多晶硅层的厚度为外围电路晶体管栅极所需多晶硅的厚度；

在所述第二区域形成氧化硅层；

淀积第二多晶硅层，所述第二多晶硅层至少填满所述第一多晶硅层表面以及所述第一多晶硅层和所述氧化硅层交界处的凹坑；

进行全局化学机械研磨，表面平坦即停止；

利用等离子体刻蚀进行全局刻蚀，刻至第一区域露出硬掩膜层停止；

去除所述氧化硅层；

形成图形化光刻胶以定义分离栅极式快闪存储器字线栅、外围电路晶体管的栅极的区域，然后刻蚀形成分离栅极式快闪存储器字线栅、外围电路晶体管的栅极。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述全局化学机械研磨后，所述氧化硅层上保留有厚度为的第二多晶硅层。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述全局刻蚀中，利用实时终点探测模式控制所述全局刻蚀，露出所述硬掩膜层时，停止刻蚀。

4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材料为氮化硅。

5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述全局刻蚀中，主刻蚀气体为：Cl₂、HBr、SF₆、CF₄、CHF₃、CH₂F₂中的至少两种，辅助刻蚀气体为Ar、O₂中的至少一种。

6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述栅极叠层之前，在所述半导体基底上淀积栅介质层。

7.如权利要求1至4任一项所述的制作方法，其特征在于，栅极叠层高度为第一多晶硅层厚度为氧化硅层厚度为第二多晶硅层厚度为进行所述全局化学机械研磨磨掉的第一、第二多晶硅层。