[发明专利]混合式有机光电二极管有效
申请号: | 201110356837.6 | 申请日: | 2011-11-11 |
公开(公告)号: | CN102468441A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | O.希登;T.劳克;R.F.舒尔兹;M.斯拉梅克;S.F.泰德 | 申请(专利权)人: | 西门子公司 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/44 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 谢强 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 混合式 有机 光电二极管 | ||
1.一种用于成像和/或剂量率测量的X射线探测器,包括在第一电极(5)与基底(1)之间的混合式光敏层,其中,该混合式光敏层具有体相异质结和多个闪烁体,并且被构造为如下地进行间接X射线转换:所述体相异质结被构造为吸收在所述闪烁体的闪烁射线波长范围内的光并形成电子-空穴对,其中,所述X射线探测器构造为电地探测所述电子-空穴对。
2.按照权利要求1所述的X射线探测器,其中,所述体相异质结包括可溶的并且能够通过喷雾过程沉积的有机半导体材料。
3.按照权利要求1或2所述的X射线探测器,其中,所述闪烁体占体积百分比份额在混合式光敏层的10%体积比与70%体积比之间。
4.按照权利要求1至3之一所述的X射线探测器,其中,所述混合式光敏层具有均匀的层厚,并且该层厚在0.5μm与500μm之间。
5.按照权利要求1至4之一所述的X射线探测器包括一个ALD层,其中,所述ALD层是第二电极(3)。
6.按照权利要求1至5之一所述的X射线探测器,其中,ALD层被设置在所述闪烁体(2)与所述体相异质结(4)之间。
7.按照权利要求1至6之一所述的X射线探测器包括一个ALD层,其中,ALD层至少部分地透过在要探测的X射线波长范围内的电磁射线,或者至少部分地透过在所述闪烁体的闪烁射线波长范围内的光。
8.一种包括X射线仪的装置,其中,该X射线仪具有传感器,其中,该传感器是一种用于检验所使用的X射线剂量的三区或五区传感器,其中,所述三区或五区传感器具有按照权利要求1至7之一所述的X射线探测器。
9.一种包括X射线仪的装置,其中,X射线仪具有传感器,其中该传感器具有多个按照权利要求1至7之一所述的X射线探测器,并且它们被按照二维的矩阵结构安置。
10.按照权利要求8或9所述的装置,其中,所述传感器具有用于曝光量自动控制单元的标准尺寸43x43cm2。
11.一种制造X射线探测器(73,74)的方法,其中,将多个闪烁体(2)和一个体相异质结(4)沉积在基底(1)上,其中,由溶液(40)通过喷雾过程来沉积所述体相异质结(4)。
12.按照权利要求11所述的方法,其中,由悬浮液(20)通过喷雾过程来沉积所述闪烁体(2),其中,尤其通过共喷雾过程同时由悬浮液(20)将该闪烁体(2)和由溶液(40)将所述体相异质结(4)沉积在所述基底(1)上,从而构成混合式光敏层。
13.按照权利要求11所述的方法,其中,将所述体相异质结(4)由溶液(40)通过喷雾过程沉积在所述多个闪烁体(2)上。
14.按照权利要求13所述的方法,其中,在所述体相异质结(4)的沉积之前通过ALD过程来镀层所述多个闪烁体(2),其中尤其通过ALD过程沉积出一个电极(3)。
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