[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，所述薄膜晶体管具有栅电极和氧化物半导体层被设置为栅极绝缘膜插入所述栅电极和所述氧化物半导体层之间、并且源电极/漏电极电连接至所述氧化物半导体层的结构，所述方法包括：

通过使用溅射，在所述源电极/漏电极、所述栅极绝缘膜和所述氧化物半导体层中的任何一个上依次连续沉积氧化铝(Al₂O₃)层和铝(Al)层，其中，所述氧化铝层作为保护膜。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，进一步包括：

在基板上形成栅电极；

隔着所述栅极绝缘膜在所述栅电极上形成所述氧化物半导体层；以及

在所述氧化物半导体层上形成所述源电极/漏电极，

其中，在形成所述源电极/漏电极之后，所述方法包括：

通过使用所述溅射，在所述源电极/漏电极、所述栅极绝缘膜和所述氧化物半导体层中的任何一个上，依次连续沉积所述氧化铝(Al₂O₃)层和所述铝(Al)层，其中，所述氧化铝层作为所述保护膜，以及

将在通过使用所述溅射在所述源电极/漏电极、所述栅极绝缘膜和所述氧化物半导体层中的任何一个上依次连续沉积作为所述保护膜的所述氧化铝(Al₂O₃)层以及所述铝(Al)层的过程中所形成的所述铝层全部去除。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，在所述铝层被去除之后，在所述氧化铝层上形成氧浓度比所述氧化铝层的氧浓度低的另一氧化铝层。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，进一步包括：在基板上形成所述氧化物半导体层；以及

在所述氧化物半导体层上的选择区域中形成所述栅极绝缘膜，其中，在所述栅极绝缘膜被形成之后，所述方法进一步包括：

通过使用所述溅射，在所述源电极/漏电极、所述栅极绝缘膜和所述氧化物半导体层中的任何一个上依次连续沉积所述氧化铝(Al₂O₃)层和所述铝(Al)层，其中，所述氧化铝层作为所述保护膜，

隔着层间绝缘膜在所述铝层上形成所述源电极/漏电极，以及

使用所述铝层作为所述栅电极。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，进一步包括：

在基板上的选择区域中形成所述栅电极；以及

隔着所述栅极绝缘膜在所述栅电极上形成所述氧化物半导体层，

其中在形成所述氧化物半导体层之后，所述方法包括：

通过使用所述溅射，在所述源电极/漏电极、所述栅极绝缘膜和所述氧化物半导体层中的任何一个上依次连续沉积所述氧化铝(Al₂O₃)层和所述铝(Al)层，其中，所述氧化铝层作为所述保护膜，

在所述铝层的对应所述栅电极的区域的至少一部分上形成开孔，以及

在所述铝层上形成所述源电极/漏电极。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，

在沉积所述氧化铝层时，通过使用铝作为靶材料，在其中含氧气(O₂)的气氛中执行所述溅射；以及

在沉积所述铝层时，通过使用在沉积所述氧化铝层的过程中所使用的所述靶材料，在其中不含氧气的气氛中执行所述溅射。

7.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有栅电极和氧化物半导体层被设置为栅极绝缘膜插入所述栅电极和所述氧化物半导体层之间、并且源电极/漏电极电连接至所述氧化物半导体层的结构，

其中，顺次具有氧化铝(Al₂O₃)层和铝(Al)层的叠层膜被设置在所述氧化物半导体层上或在所述栅极绝缘膜上，其中，所述氧化铝层作为所述保护膜。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其中，

所述薄膜晶体管包括位于基板上的所述氧化物半导体层；

所述栅极绝缘膜和所述叠层膜依次层叠在所述氧化物半导体层上的选择区域中；

隔着层间绝缘膜在所述叠层膜上设置所述源电极/漏电极；以及

所述叠层膜中的所述铝层用作所述栅电极。