[发明专利]铕基ThCr2Si2结构的低温磁制冷材料及制备方法有效
申请号: | 201110354855.0 | 申请日: | 2011-11-10 |
公开(公告)号: | CN102383017A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 李领伟;霍德璇;苏伟涛;吕燕飞;钱正洪 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
主分类号: | C22C28/00 | 分类号: | C22C28/00;C22C1/02;C22F1/02;C22F1/16;C09K5/14 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 杜军 |
地址: | 310018 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铕基 thcr sub si 结构 低温 制冷 材料 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于材料学技术领域,涉及一种磁性功能材料,特别涉及一种用于磁制冷的铕基ThCr2Si2结构的材料及其制备方法。
背景技术
磁制冷材料是一种新型磁性功能材料,它是利用磁性材料的磁熵效应(即magnetocaloric effect,又称磁卡效应)实现制冷的一种无污染的制冷工质材料。磁熵效应是磁性材料的内禀特性之一,其大小取决于磁性材料内在的物理特性。磁制冷是利用外加磁场而使磁工质的磁矩发生有序、无序的变化(相变)引起磁体吸热和放热作用而进行制冷循环。通过磁制冷工质进入高磁场区域,放出热量到周围环境;进入零/低磁场区域,温度降低,吸收热量达到制冷的目的;如此反复循环可连续制冷。磁制冷被认为是一种“绿色”的制冷方式,不排放如氟利昂等任何有害气体,有望代替现在正在使用的耗能大且有害环境的气体压缩制冷方式。与现有最好的制冷系统相比,磁制冷可以少消耗20~30﹪的能源,而且即不破坏臭氧层又不排放温室气体,而现在使用的冰箱和空调系统则正在成为全世界能源消耗的主体。目前,磁制冷主要应用在极低温和液化氦等小规模的装置中。虽然诸多因素的限制使磁制冷技术的广泛应用尚未成熟,与传统的气体压缩制冷相比,磁制冷具有熵密度高、体积小、结构简单、无污染、噪声小、效率高及功耗低等优点,将成为未来颇具潜力的一种新的制冷方式。而取决于这一技术能否走出实验室,走进千家万户的关键是寻找在宽温区、低磁场条件下具有大磁熵变的磁致冷材料。
磁熵效应最早发现于1881年在Fe中发现。1933年Giauque和MacDougall成功的采取绝热磁化/退磁的方法使温度降至0.25K,因在磁制冷及相关领域的贡献,Giauque被授予1949年诺贝尔奖。对于磁制冷材料的研究热潮开始于20世纪90年代,美国宇航公司与美国国家能源部在Iowa大学所设的国家实验室合作,完成了第一台工作于室温附近的磁制冷电冰箱样机的试制。这台样机用稀土金属钆(Gd)为工作物质,超导磁体为磁场源。1997年,美国Iowa州立大学Ames实验室的Pecharscky等在Gd5Si2Ge2合金中发现巨磁熵变效应。从而掀起了人们对各个温区具有巨磁熵变材料的探索和研究。按工作温区划分,磁制冷材料可以分为极低温(4.2K以下),低温(4.2-77K),中温区(77-273K)和室温区(300K附近)磁制冷材料。其中,目前低温区磁制冷材料主要包括Gd3Ga5O12,GdLiF4等顺磁金属盐和一些稀土金属间化合物,但由于他们的磁熵变相对较小,使其商业应用受到一定的限制。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一种在较宽温区内具有大磁熵变、可用于低温磁制冷的铕基ThCr2Si2型晶体结构的磁性材料。
本发明的磁性材料的化学通式为:Eu-T-X,其中Eu为稀土金属铕,T为Fe、Cu中的一种或两种,X为P、As中的一种或两种;低温磁制冷材料中各物质的原子比为Eu:T:X=1:2:2;所述的低温磁制冷材料具有体心ThCr2Si2型四方晶体结构。
本发明的另一个目的是提供这种磁性材料的制备方法。
本发明的具体步骤是:
步骤(1).将稀土金属铕、过渡金属和非金属按照摩尔比1:2:2×(1.03~1.05)在Ar气手套箱内均匀混合成原料;
所述的过渡金属为Fe、Cu中的一种或两种的混合物;
所述的非金属为P、As中的一种或两种的混合物;
步骤(2).将原料置于石英容器内,对石英容器抽真空,石英容器内的压力小于等于2×10-2Pa后将石英容器封闭;
步骤(3).将石英容器放到垂直烧结炉,以3~5℃/分钟的速度升温至400~450℃后保温5~10小时,然后以8~10℃/分钟的速度继续升温至800~900℃后保温5~10小时;
步骤(4).石英容器自然冷却至常温,取出石英容器内制品,在常温、10~15Mpa压力下压片成型;
步骤(5).在800~900℃下高温退火10~24小时,然后自然冷却至常温,制得成品。
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