[发明专利]铕基ThCr2Si2结构的低温磁制冷材料及制备方法

权利要求书

1.一种铕基ThCr₂Si₂结构的低温磁制冷材料，其特征在于该低温磁制冷材料的化学通式为：Eu-T-X，其中Eu为稀土金属铕，T为Fe、Cu中的一种或两种，X为P、As中的一种或两种；磁性材料中各物质的原子比为Eu：T：X=1:2:2；所述的低温磁制冷材料具有体心ThCr₂Si₂型四方晶体结构。

2.一种铕基ThCr₂Si₂结构的低温磁制冷材料的制备方法，其特征在于该方法的具体步骤是：

步骤(1).将稀土金属铕、过渡金属和非金属按照摩尔比1:2:2×（1.03～1.05）在Ar气手套箱内均匀混合成原料；

所述的过渡金属为Fe、Cu中的一种或两种的混合物；

所述的非金属为P、As中的一种或两种的混合物；

步骤(2).将原料置于石英容器内，对石英容器抽真空，石英容器内的压力小于等于2×10^-2Pa后将石英容器封闭；

步骤(3).将石英容器放到垂直烧结炉，以3～5℃/分钟的速度升温至400～450℃后保温5～10小时，然后以8～10℃/分钟的速度继续升温至800～900℃后保温5～10小时；

步骤(4).石英容器自然冷却至常温，取出石英容器内制品，在常温、10～15Mpa压力下压片成型；

步骤(5).在800～900℃下高温退火10～24小时，然后自然冷却至常温，制得成品。