[发明专利]静电防护元件及其制造方法

权利要求书

1.一种静电防护元件，形成于一基板的一元件区中，其特征在于，包含：

一栅极，位于该基板元件区上；

一源极与一漏极，位于该栅极下方的外部两侧；以及

与该源极与漏极相同传导型态的二纵向延伸掺杂结构，分别位于该源极与漏极下方，并分别与该源极与漏极连接，以使源极与漏极相互导通时，部分电流经由该纵向延伸掺杂结构导通，以提高该静电防护元件的静电防护电压。

2.如权利要求1所述的静电防护元件，其中，该基板中还包含另一传导型态的元件，其具有一与该源极与漏极相同传导型态的掺杂区，且该纵向延伸掺杂结构是利用形成该掺杂区的光罩与杂质掺杂制程所形成。

3.如权利要求2所述的静电防护元件，其中，该掺杂区为一井区或一反穿隧效应区。

4.如权利要求1所述的静电防护元件，其中，还包含与该源极与漏极相同传导型态的二漏极轻掺杂结构，分别位于该栅极下方两侧。

5.如权利要求1所述的静电防护元件，其中，该纵向延伸掺杂结构，由剖视图视之，其宽度在靠近栅极方向上小于该源极与漏极一预设长度。

6.一种静电防护元件制造方法，其特征在于，包含：

提供一基板，并于该基板中定义元件区；

于该基板上形成一栅极；

于该栅极下方的外部两侧形成源极与漏极；以及

于该源极与漏极下方，分别形成与该源极与漏极相同传导型态的二纵向延伸掺杂结构，并分别与该源极与漏极连接，以使得当源极与漏极相互导通时，部分电流经由该纵向延伸掺杂结构导通，以提高该静电防护元件的静电防护电压。

7.如权利要求6所述的静电防护元件制造方法，其中，该基板中还包含另一传导型态的元件，其具有一与该源极与漏极相同传导型态的掺杂区，且该纵向延伸掺杂结构是利用形成该掺杂区的光罩与杂质掺杂制程所形成。

8.如权利要求7所述的静电防护元件制造方法，其中，该另一传导型态的掺杂区为一掺杂井区或一反穿隧效应区。

9.如权利要求6所述的静电防护元件制造方法，其中，还包含：形成该源极与漏极相同传导型态的二漏极轻掺杂结构，分别位于该栅极下方两侧。

10.如权利要求6所述的静电防护元件制造方法，其中，该纵向延伸掺杂结构，由剖视图视之，其宽度在靠近栅极方向上小于该源极与漏极一预设长度。

11.一种静电防护元件，形成于一基板的一元件区中，其特征在于，包含：

一栅极，位于该基板元件区上；

一源极与一漏极，位于该栅极下方的外部两侧；

一与该源极与漏极相同传导型态的纵向延伸掺杂结构，位于该源极或该漏极下方，并与该源极或该漏极连接，以使源极与漏极相互导通时，部分电流经由该纵向延伸掺杂结构导通，以提高该静电防护元件的静电防护电压；以及

一与该源极与漏极相同传导型态的埋层，位于该纵向延伸掺杂结构下方，并与该纵向延伸掺杂结构连接；

其中，当该纵向延伸掺杂结构同时存在于该源极与漏极下方时，该埋层仅与其中的一纵向延伸掺杂结构连接。

12.如权利要求11所述的静电防护元件，其中，该基板中还包含另一传导型态的元件，其具有一与该源极与漏极相同传导型态的掺杂区，且该纵向延伸掺杂结构是利用形成该掺杂区的光罩与杂质掺杂制程所形成。

13.如权利要求11所述的静电防护元件，其中，该纵向延伸掺杂结构，由剖视图视之，其宽度在靠近栅极方向上小于该源极或漏极一预设长度。

14.一种静电防护元件制造方法，其特征在于，包含：

提供一基板，并于该基板中定义一元件区；

于该基板上形成一栅极；

于该栅极下方的外部两侧形成源极与漏极；

于该源极与漏极下方，形成与该源极与漏极相同传导型态的一纵向延伸掺杂结构，并与该源极或漏极连接，以使得当源极与漏极相互导通时，部分电流经由该纵向延伸掺杂结构导通，以提高该静电防护元件的静电防护电压；以及

于该纵向延伸掺杂结构下方，形成与该源极与漏极相同传导型态的埋层，并与该纵向延伸掺杂结构连接；

其中，当该纵向延伸掺杂结构同时存在于该源极与漏极下方时，该埋层仅与其中的一纵向延伸掺杂结构连接。