[发明专利]一种尖角钝化的方法有效
| 申请号： | 201110352080.3 | 申请日： | 2011-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN103107081A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 郁新举 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 钝化 方法 | ||
1.一种尖角钝化的方法，其特征在于，包括步骤：
(1)通过现有工艺流程，形成待需要进行图形尖角钝化的下层；
(2)在步骤(1)的基础上，涂覆一层光刻胶并曝光；
(3)进行刻蚀，使其出现高低形貌；
(4)去除光刻胶；
(5)采用金属溅射方式，进行沉积要钝化的材料，涂覆光刻胶，经曝光、刻蚀后，实现钝化。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(1)中，待需要进行图形尖角钝化的下层，包括：铝线下层介电层、氧化膜通孔、以及氧化膜通孔的填充；
其中，氧化膜通孔的填充物，包括：钨，或能实现与钨相同功能的材质。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)、(5)中，光刻胶的厚度大于400纳米。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)的曝光中，使用待需要钝化的图形的光刻版去曝光，或使用比待需要钝化的图形的关键尺寸小10％～20％。的光刻版去曝光。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(3)中，采用氧化硅刻蚀的方法，形成与待需要钝化的图形相同的氧化硅的图形；
其中，刻蚀深度取决于沉积的待需要钝化的图形的厚度。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(4)中，使用干法加湿法的去胶的方式，去除光刻胶。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(5)中，要钝化的材料，包括：金属铝、铜；其中，沉积的厚度大于1微米。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(5)的曝光中，使用待需要钝化的图形的关键尺寸-10％～+10％的光刻版曝光。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(5)中的刻蚀，采用干法刻蚀。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110352080.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
