[发明专利]一种减少光刻机对准偏差的光刻图形对准标记方法无效
申请号: | 201110349890.3 | 申请日: | 2011-11-08 |
公开(公告)号: | CN102445865A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 马兰涛 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F9/00 | 分类号: | G03F9/00;G03F7/20 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 王敏杰 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 减少 光刻 对准 偏差 图形 标记 方法 | ||
1.一种减少光刻机对准偏差的光刻图形对准标记方法,提供光刻图形对准标记,光刻图形对准标记位于对准图形中部第一保护带内,对准图形保护带位于切割带内,切割带两侧分别分布有第二保护带和分隔带,光刻图形对准标记为若干相互平行的矩形条,其特征在于,所述若干相互平行的矩形条垂直于所述切割带方向地在所述对准图形中部第一保护带内依次进行排布。
2.根据权利要求1所述的光刻图形对准标记方法,其特征在于,所述若干相互平行的矩形条为3条。
3.根据权利要求1所述的光刻图形对准标记方法,其特征在于,所述第一保护带为矩形,所述光刻图形对准标记的长度与所述第一保护带的宽度相同。
4.根据权利要求3中任意一项所述的光刻图形对准标记方法,其特征在于,所述第一保护带的长度为240微米。
5.根据权利要求3中任意一项所述的光刻图形对准标记方法,其特征在于,所述第一保护带的宽度为60微米。
6.根据权利要求1所述的光刻图形对准标记方法,其特征在于,所述第二保护带紧邻所述切割带。
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