[发明专利]集成电路的监控装置

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

多个数据输入/输出焊盘，所述多个数据输入/输出焊盘被配置为将数据传送至存储器单元以及从存储器单元接收数据；

警报焊盘，所述警报焊盘被配置为在所述数据被传送和接收时输出数据错误信息；以及

监控装置，所述监控装置被配置为在第一模式下将所述数据错误信息输出至所述警报焊盘，在第二模式下将监控信息输出至所述警报焊盘，

其中，所述监控装置在第三模式下将从所述警报焊盘输入的警报信号传送至内部电路，

其中，所述监控装置包括：

输入驱动器，所述输入驱动器被配置为在所述第三模式下接收输入的警报信号并驱动所述输入的警报信号作为内部警报信号；以及

测试模式控制单元，所述测试模式控制单元被配置为当所述半导体存储器件不处于所述第三模式时检测所述监控信息并输出第二错误检测信号，而在所述第三模式下向所述内部电路输出所述内部警报信号作为所述第二错误检测信号。

2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第一模式是利用模式寄存器组MRS建立的模式，所述第二模式是利用测试模式建立的模式。

3.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第一模式是循环冗余码CRC错误或奇偶校验错误感测模式，所述第二模式是温度或电压感测模式。

4.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述监控装置还包括：

错误检测信号选择单元，所述错误检测信号选择单元被配置为响应于使能信号而选择包括所述数据错误信息的第一错误检测信号与包括所述监控信息的所述第二错误检测信号中的一个，并输出错误信号；以及

输出驱动器，所述输出驱动器被配置为响应于所述错误信号来驱动所述警报焊盘。

5.如权利要求4所述的半导体存储器件，其中，所述使能信号根据所述第一模式而产生。

6.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，在所述第二模式下从所述警报焊盘输入的警报信号包括熔丝选择信息。

7.一种半导体存储器件，包括：

多个数据输入/输出焊盘，所述多个数据输入/输出焊盘被配置为将数据传送至存储器单元以及从存储器单元接收数据；

警报焊盘，所述警报焊盘被配置为在所述数据被传送和接收时输出数据错误信息；以及

监控装置，所述监控装置被配置为在第一模式下将所述数据错误信息输出至所述警报焊盘，在第二模式下将从所述警报焊盘输入的警报信号传送至内部电路，

其中，所述监控装置在第三模式下将从所述警报焊盘输入的警报信号传送至内部电路，

其中，所述监控装置包括：

输入驱动器，所述输入驱动器被配置为在所述第三模式下接收输入的警报信号并驱动所述输入的警报信号作为内部警报信号；以及

测试模式控制单元，所述测试模式控制单元被配置为当所述半导体存储器件不处于所述第三模式时检测所述监控信息并输出第二错误检测信号，而在所述第三模式下向所述内部电路输出所述内部警报信号作为所述第二错误检测信号。

8.如权利要求7所述的半导体存储器件，其中，所述第一模式是利用模式寄存器组MRS建立的模式，所述第二模式是利用测试模式建立的模式。

9.如权利要求7所述的半导体存储器件，其中，在所述第二模式下从所述警报焊盘输入的所述警报信号包括熔丝选择信息。

10.一种集成电路的监控装置，包括：

错误检测信号选择单元，所述错误检测信号选择单元被配置为响应于使能信号而在选择包括数据错误信息的第一错误检测信号和包括监控信息的第二错误检测信号中的一个，并输出错误信号，其中，第一错误检测信号在第一模式下被选择，第二错误检测信号在第二模式下被选择；

输出驱动器，所述输出驱动器被配置为响应于所述错误信号来驱动焊盘；

输入驱动器，所述输入驱动器被配置为在第三模式下接收经由所述焊盘输入的警报信号，并驱动所述警报信号作为内部警报信号；以及

测试模式控制单元，所述测试模式控制单元被配置为当所述集成电路不处于所述第三模式时检测所述监控信息并输出所述第二错误检测信号，而在第三模式下向内部电路输出所述内部警报信号作为所述第二错误检测信号。