[发明专利]柔性可控有机pn结场发射电子源无效
申请号: | 201110348985.3 | 申请日: | 2011-11-08 |
公开(公告)号: | CN102360999A | 公开(公告)日: | 2012-02-22 |
发明(设计)人: | 郭太良;叶芸;胡利勤;张永爱;郭凡;洪春燕 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | H01J1/308 | 分类号: | H01J1/308 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 350001 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 可控 有机 pn 发射 电子 | ||
1.一种柔性可控有机pn结场发射电子源,它依次包括基板、下电极层,n型有机材料层,p型有机材料层和上电极层,其特征在于:所述基板被下电极层所覆盖,所述下电极层被n型有机材料层所覆盖,所述p型有机材料层完全覆盖在n型有机材料层上,所述p型有机材料层被上电极层所覆盖。
2.根据权利要求1所述的柔性可控有机pn结场发射电子源,其特征在于:所述的p型有机材料层是由非辐射复合和低功函数的有机材料制成的面状、带状、方孔状、鱼骨状、梳状或圆孔状的有机层;所述的有机材料是酞菁铜、氯化铟酞菁、低聚噻吩、聚噻吩、聚3-己基噻吩、三芳胺、聚对苯撑乙烯撑、聚硅烷或聚3,4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸;所述的p型有机材料层是采用印刷法,喷涂法,涂覆法,溶液甩胶法或蒸发镀膜法制成的超薄的完整晶格层。
3.根据权利要求2所述的柔性可控有机pn结场发射电子源,其特征在于:所述的p型有机材料层的厚度为1-100 nm。
4.根据权利要求1所述的柔性可控有机pn结场发射电子源,其特征在于:所述的n型有机材料层是由低能级,非辐射复合,高电子迁移率的有机材料制成的面状、带状、方孔状、鱼骨状、梳状或圆孔状的有机层;所述的有机材料是富勒烯及富勒烯的碱金属衍生物、ActivInk N2200、掺硫杂环的2-(1,3-二硫-2-叶立德)丙二氰稠合的萘酰亚胺衍生物、N,N’-二萘嵌苯-3,4,9,10-四羧酸二酰亚胺、2,4,7-三硝基芴酮、7,7,8,8-四氰基对苯醌二甲烷、1,8-萘二甲酸酐、3,4,9,10-苝四甲酸二酐、1,2,3,4,8,9,10,11,15,16,17,18,22,23,24,25-十六氟酞菁铜(II)、氟代低聚唆吩或全氟代a-六噻吩;所述的n型有机材料层是采用印刷法、涂覆法、喷涂法、溶液甩胶法或蒸发镀膜法制成的。
5.根据权利要求4所述的柔性可控有机pn结场发射电子源,其特征在于:所述的n型有机材料层的厚度为1-2000nm。
6.根据权利要求1所述的柔性可控有机pn结场发射电子源,其特征在于:所述的基板是金属薄片、柔性玻璃、柔性硅或有机聚合物;所述的有机聚合物是聚碳酸酯、聚酯、聚酰亚胺或聚乙烯。
7.根据权利要求1所述的柔性可控有机pn结场发射电子源,其特征在于:所述的上、下电极层是面状、带状、方孔状、鱼骨状、梳状或圆孔状的电极层;所述的上、下电极层的厚度为10-1000 nm;所述的上、下电极层是采用印刷法或镀膜法结合刻蚀法制成的;所述的上、下电极材料为聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撑、聚苯撑乙烯、聚双炔、PEDOT/PSS中的一种或多种复合的聚合物导电材料,或者是经过掺杂处理的上述聚合物材料,或者是硅层,或者是银、铜、铝、铁、镍、金、铬、钛中的一种金属元素的单层薄膜电极或多种金属元素的多层复合薄膜或者合金薄膜,或者是具有导电性的Sn、Zn、In的氧化物中的一种或多种组合的氧化物有机薄膜,或者是银、铜、铝、铁、镍、金、铬、钛中的一种或多种组合的导电金属颗粒,或者是Sn、Zn、In的氧化物中的一种或多种组合的印刷浆料所制备的导电层。
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