[发明专利]提高PowerMOS器件UIS性能的方法有效
| 申请号： | 201110348539.2 | 申请日： | 2011-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103094079A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 罗清威;吴晶;左燕丽 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 powermos 器件 uis 性能 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高PowerMOS器件UIS性能的方法，其特征在于，包括：
在现有功率MOS器件的制备工艺基础上，通过两次源极注入，形成N+N-源极，将MOS寄生N+PN管改为N+N-PN管。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法的步骤，包括：
(1)将现有功率MOS器件制备工艺中的一次大剂量的源极注入，改为一次小剂量的P源极注入和一次大剂量的As源极注入；
(2)进行一次退火，将source结深推到需要的深度。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述步骤(1)中，小剂量为1013～1014cm-2，大剂量为4×1015～8×1015cm-2。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，退火温度为900℃～950℃，退火时间为30min～60min。
5.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，深度为0.3μm～0.5μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
