[发明专利]一种基于部分耗尽型SOI工艺的抗辐射MOS器件结构

权利要求书

1.一种基于部分耗尽型SOI工艺的抗辐射MOS器件结构，包括SOI基板，所述SOI基板包括硅膜(3)；其特征是：所述硅膜(3)的上部刻蚀有沟槽(15)，所述沟槽(15)内的侧壁及底部生长有第一隔离层(4)，第一隔离层(4)对应于位于沟槽(15)槽底的中心区刻蚀形成生长窗口(16)，所述沟槽(15)内通过生长窗口(16)生长有单晶硅(17)，所述单晶硅(17)覆盖生长于对应的第一隔离层(4)上；单晶硅(17)的中心区设置栅极区，单晶硅(17)内对应于栅极区的两侧分别形成源区(7)及漏区(8)。

2.根据权利要求1所述的基于部分耗尽型SOI工艺的抗辐射MOS器件结构，其特征是：所述硅膜(3)的外圈设有第二隔离层(14)。

3.根据权利要求1所述的基于部分耗尽型SOI工艺的抗辐射MOS器件结构，其特征是：所述SOI基板的硅膜(3)厚度与部分耗尽型器件内硅膜的厚度相对应。

4.根据权利要求1所述的基于部分耗尽型SOI工艺的抗辐射MOS器件结构，其特征是：所述SOI基板还包括埋氧化层(2)及衬底(1)，所述埋氧化层(2)位于衬底(1)上，硅膜(3)位于埋氧化层(2)上。

5.根据权利要求1所述的基于部分耗尽型SOI工艺的抗辐射MOS器件结构，其特征是：所述第一隔离层(4)为二氧化硅，所述第一隔离层(4)的厚度为

6.根据权利要求1所述的基于部分耗尽型SOI工艺的抗辐射MOS器件结构，其特征是：所述栅极区包括栅氧化层(5)及位于所述栅氧化层(5)上的多晶硅栅(6)。

7.根据权利要求1所述的基于部分耗尽型SOI工艺的抗辐射MOS器件结构，其特征是：所述沟槽(15)内生长单晶硅(17)后包括高温退火工艺步骤。

8.根据权利要求7所述的基于部分耗尽型SOI工艺的抗辐射MOS器件结构，其特征是：所述高温退火工艺的温度范围为850℃～1100℃。

9.根据权利要求4所述的基于部分耗尽型SOI工艺的抗辐射MOS器件结构，其特征是：所述衬底(1)的导电类型为P型。

10.根据权利要求1所述的基于部分耗尽型SOI工艺的抗辐射MOS器件结构，其特征是：所述硅膜(3)为零电位。