[发明专利]解决保护环刻蚀后残留的方法有效
| 申请号： | 201110344328.1 | 申请日： | 2011-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN103094092A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 管军;黄志刚;钟秋;陈忠利 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 解决 保护环 刻蚀 残留 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种解决保护环刻蚀后残留的方法，其特征在于，包括：通过在保护环两次成膜后，增加高温退火工艺，并对后续进行的保护环薄膜刻蚀，采用先干法刻蚀、后湿法刻蚀的顺序。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法，步骤包括：
(1)两步法生长保护环氧化膜；
(2)高温退火；
(3)掩膜图形定义；
(4)掩膜干法刻蚀；
(5)掩膜湿法刻蚀；
(6)光刻胶灰化；
(7)湿法聚合物去除。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述步骤(1)中，两步法生长保护环氧化膜，其步骤为：先以1050℃生长900～1100埃热氧薄膜，后以380℃生长7125～7815埃高密度氧化薄膜。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，高温退火的温度为1030～1070℃，退火时间为20～40秒。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：所述高温退火的温度为1050℃，退火时间为30秒。
6.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述步骤(4)中，用多晶硅刻蚀设备，刻蚀掉3500～4500埃的氧化膜。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：所述步骤(5)中，用湿法将剩余的氧化膜除去。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
