[发明专利]制造硅通孔的方法

权利要求书

1.一种制造硅通孔的方法，其特征在于，包括：

在芯片中至少一层互连层中预定义掩模孔，该掩模孔的位置、形状、 尺寸与将要制备的穿透硅通孔的位置、形状和尺寸相对应；

以第一掩模版为掩模，刻蚀所述互连层上方的芯片表面介质层，所述 第一掩模版包括：在水平面的投影上包覆所述掩模孔的预设图形；

以所述预定义掩模孔的互连层为掩模，刻蚀所述掩模孔位置下方的芯 片表面介质层和衬底，获得阶梯形孔；

在所述阶梯形孔中沉积绝缘层，该绝缘层覆盖所述阶梯形孔的开口表 面及侧壁，所述开口表面在水平面的投影对应于所述预设图形内、所述掩 模孔外的区域；

刻蚀所述阶梯形孔开口表面位置上方的绝缘层，露出阶梯形孔开口表 面位置的互连层；

在所述阶梯形孔中进行导电材料填充，该导电材料与所述阶梯形孔开 口表面位置的互连层相连通。

2.根据权利要求1所述的制造硅通孔的方法，其特征在于，所述互 连层的材料为金属铝。

3.根据权利要求1所述的制造硅通孔的方法，其特征在于，所述绝 缘层的材料为氧化硅、氮化硅、有机聚合物中的一种或多种组合。

4.根据权利要求3所述的制造硅通孔的方法，其特征在于，所述在 阶梯形孔中沉积绝缘层的方法为化学气相沉积。

5.根据权利要求1所述的制造硅通孔的方法，其特征在于，所述刻 蚀阶梯形孔开口表面位置上方绝缘层的方法为反应离子刻蚀、离子束刻蚀 或深反应离子刻蚀。

6.根据权利要求1所述的制造硅通孔的方法，其特征在于：所述在 阶梯形孔中进行导电材料填充的方法为电镀。

7.根据权利要求6所述的制造硅通孔的方法，其特征在于，所述导 电材料为金属铜。

8.根据权利要求6所述的制造硅通孔的方法，其特征在于，在阶梯 形孔中电镀导电材料之前还包括：

在所述阶梯形孔开口表面及侧壁制作扩散阻挡层以及电镀种子层。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的制造硅通孔的方法，其特征 在于，所述在阶梯形孔中进行导电材料填充的步骤之后还包括：

从芯片背面减薄所述芯片，使填充有导电材料的阶梯形孔从芯片背面 露出。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的制造硅通孔的方法，其特征 在于，所述在阶梯形孔中进行导电材料填充的步骤之后还包括：

通过化学机械抛光去除芯片正面多余的导电材料。