[发明专利]一种产冠菌素菌株生长发育关键温度的测定方法

权利要求书

1.一种产冠菌素菌株生长发育关键温度的测定方法，其特征在于步骤为：

(1)菌株培养：

将M4-13菌株在LB固体平板上涂布，32℃培养1d，挑单菌落于LB液体培养基中32℃试管培养1d，将菌液稀释20000倍，再次涂布，挑单菌落于LB液体培养基中32℃试管培养1d，将菌液转移到含有200mL发酵培养基的500mL摇瓶内，在14℃～40℃范围内选取不同温度条件下，摇床280r/min培养；

(2)构建菌体浓度-温度生长曲线

每隔1h取3mL发酵液并回注液体培养基3mL，于550nm处分光光度计法测定菌液吸光度，绘制菌株在不同培养温度下的生长曲线，建立菌体浓度-温度生长曲线；

(3)温度处理点生长速率

以菌体浓度-温度生长曲线对数期的斜率m，菌体浓度由分光光度法测得，λ＝550，由下列公式：

k=mlog2]]>

求得生长速率k；

(4)温度速率模型选择与拟合

选择Briere温度速率模型作菌株生长发育关键温度基本分析，该温度速率模型如下式所示：

V(t)=at(t-T0)(TL-t)1m]]>

其中：V(t)是细菌温度在t＝17.85，19.85，21.85，24.85，29.85，31.85，34.85，36.85，39.85℃时的发育速率，单位1/天；a为尺度参数，调节曲线达到最大值；m为形状参数，调节曲线的对称性；T₀为低温发育临界温度，低于此温度该菌就不生长；T_L为高温临界发育温度，高于此温度该菌也不能生长；最适发育温度按Briere方程求得：

Topt=2mTL+(m+1)T0)+4m2TL2+(m+1)2T0T-4m2TLT04m+2]]>

其中：T_opt为最适发育温度；T₀为低温发育临界温度，低于此温度该菌就不生长；T_L为高温临界发育温度，高于此温度该菌也不能生长；m为形状参数，调节曲线的对称性。