[发明专利]多工艺机台的工序控制方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及多工艺机台的工序控制方法。

背景技术

集成电路制造工艺多数通过机台完成，机台可以进行一种工艺或多种工艺，本申请书称能够进行多种工艺的机台为多工艺机台，衡量机台生产速率的一个指标是WPH，即每小时能够处理的晶圆数量。对于多工艺机台，如何控制工艺，以尽可能提高机台生产速率是业内重点关心的问题。

图1是现有一种多工艺机台的结构示意图，下述字母M表示搬运晶圆，P表示对晶圆进行工艺处理，该机台依照下述步骤处理每个晶圆：

步骤a1(M1)：将晶圆从晶圆盒装入CH-F，起始时间TM1start，结束时间为TM1end；

步骤a2(P1)：在CH-F中对晶圆进行工艺处理，起始时间为TP1start，结束时间为TP1end；

步骤a3(M2)：将晶圆从CH-F中搬运至CH-C，起始时间为TM2start，结束时间为TM2end；

步骤a4(P2)：在CH-C中对晶圆进行工艺处理，起始时间为TP2start，结束时间为TP2end；

步骤a5(M3)：将晶圆从CH-C中搬运至CH-A，起始时间为TM3start，结束时间为TM3end；

步骤a6：(M4)：将晶圆从CH-A中搬运至CH-1，起始时间为TM4start，结束时间为TM4end；

步骤a7(P3)：在CH-1中对晶圆进行工艺处理，起始时间为TP3start，结束时间为TP3end；

步骤a8(M5)：将晶圆从CH-1中搬运至CH-3，起始时间为TM5start，结束时间为TM5end；

步骤a9(P4)：在CH-3中对晶圆进行工艺处理，起始时间为TP4start，结束时间为TP4end；

步骤a10(M6)：将晶圆从CH-3中搬运至CH-B，起始时间为TM6start，结束时间为TM6end；

步骤a11(P5)：在CH-B中对晶圆进行工艺处理，起始时间为TP5start，结束时间为TP5end；

步骤a12(M7)：将晶圆从CH-3中搬运至LL，机台对该晶圆的处理完成，起始时间为TM7start，结束时间为TM7end；

上述方案的整个流程实际只是按照工艺路线顺序处理，其工序控制方法单-，难以进一步提高该机台的WPH。

发明内容

本发明提供多工艺机台的工序控制方法，以便提高机台WPH。

本发明技术方案的核心思路在于：选择多工艺机台的瓶颈工艺，增加与该瓶颈工艺共享搬运设备的非瓶颈工艺的等待时间，然后在该非瓶颈工艺的等待时间内，将需要瓶颈工艺处理的晶圆搬运至瓶颈工艺，以便通过加快瓶颈工艺的晶圆处理速率，来提高多工艺机台的WPH。多工艺机台中各工艺均有等待时间(stay time)，即前一个晶圆通过该工艺处理完毕后，但晶圆还未从该工艺处开始搬运出的时间，空闲时间最小的工艺段成为多工艺机台的瓶颈工艺。

较佳的，该非瓶颈工艺增加的等待时间满足下述两个条件：

该增加的等待时间小于向瓶颈工艺搬运晶圆的时刻与该非瓶颈工艺处理完毕时刻的时间差，且大于瓶颈工艺的晶圆搬出完成时刻与该非瓶颈工艺处理完毕时刻的时间差。

较佳的，所述增加的等待时间进一步满足：该增加的等待时间大于瓶颈工艺前一工艺处理完毕时刻与该非瓶颈工艺处理完毕时刻的时间差。

上述技术方案通过增加与该瓶颈工艺共享搬运设备的非瓶颈工艺的等待时间，然后在该非瓶颈工艺的等待时间内，将需要瓶颈工艺处理的晶圆搬运至瓶颈工艺，提高了单位时间的瓶颈工艺晶圆处理数量，从而提高了多工艺机台的WPH。

附图说明

图1为一种多工艺机台的结构及工艺流程示意图。

图2为本发明实施例中多工艺机台工序控制方法流程示意图。

具体实施方式

本发明实施例提供的多工艺机台工序控制方法主要流程如下：

步骤1，选择多工艺机台的瓶颈工艺；

步骤2，增加与该瓶颈工艺共享搬运设备的非瓶颈工艺的等待时间，较佳的，增加的等待时间满足条件1)及条件2)：

条件1)该增加的等待时间小于向瓶颈工艺搬运晶圆的时刻与该非瓶颈工艺处理完毕时刻的时间差，且大于瓶颈工艺的晶圆搬出完成时刻与该非瓶颈工艺处理完毕时刻的时间差。

条件2)该增加的等待时间大于瓶颈工艺前一工艺处理完毕时刻与该非瓶颈工艺处理完毕时刻的时间差。

步骤3，在该非瓶颈工艺的等待时间内，将需要瓶颈工艺处理的晶圆搬运至瓶颈工艺。