[发明专利]一种激光退火扫描方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路及其制造领域，尤其涉及一种激光退火扫描方法。

背景技术

激光退火作为一种先进的半导体制备工艺方法，是一种高温瞬间退火方式，其退火温度可以从几百度到一千多度，主要应用在金属半导体合金工艺、离子注入工艺等步骤中，且在制备超浅结工艺中也发挥着关键作用。

目前，激光退火中传统激光扫描方式一般是沿着晶圆片一行一行地顺序连续扫描，例如: 图1是本发明背景技术中传统激光扫描方式的示意图，图2是本发明背景技术中进行激光退火采用传统激光扫描方式扫描部分晶圆时的示意图，图3是本发明背景技术中进行激光退火采用传统激光扫描方式扫描晶圆时晶圆上热应力分布示意图；如图1所示，在扫描行是24行的晶圆31上，传统激光扫描方式的是按照晶圆1的扫描行序号A（1-24）顺序逐行扫描，即扫描顺序号B和扫描序号A相同；由于，传统激光扫描方式是连续一行一行扫描，当退火温度较高时，若晶圆片上已经连续扫描完成的一部分，如图2所示，此时晶圆31的热应力分布情况会如图3所示，已经扫描完成的部分晶圆32比尚未扫描的另一部分晶圆33的热应力来得高，这就可能会造成晶圆31的表面弯曲，甚至会发生剖片。

发明内容

本发明公开了一种激光退火扫描方法，其中，包括以下步骤：

步骤S1：在一晶圆上定义其激光退火的扫描行；

步骤S2：对该扫描行进行跳跃式迂回激光退火扫描。

上述的激光退火扫描方法，其中，步骤S2中每个扫描行均被扫描一次。

上述的激光退火扫描方法，其中，步骤S2中采用随机或隔固定行数进行跳跃式迂回激光退火扫描。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明提出一种激光退火扫描方法，通过跳跃式的扫描方式对晶圆上所有分割的扫描行进行扫描，使得晶圆上的热应力能有效分散，从而避免了热应力过于集中而造成晶圆表面弯曲甚至剖片问题。

附图说明

图1是本发明背景技术中传统激光扫描方式的示意图；

图2是本发明背景技术中进行激光退火采用传统激光扫描方式扫描部分晶圆时的示意图；

图3是本发明背景技术中进行激光退火采用传统激光扫描方式扫描晶圆时晶圆上热应力的分布示意图；

图4是本发明激光退火扫描方法中采用随机行数进行跳跃式迂回激光退火扫描的示意图；

图5是本发明激光退火扫描方法中采用固定行数进行跳跃式迂回激光退火扫描的示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明：

图4是本发明激光退火扫描方法中采用随机行数进行跳跃式迂回激光退火扫描的示意图；图5是本发明激光退火扫描方法中采用固定行数进行跳跃式迂回激光退火扫描的示意图。如图4-5所示，本发明一种激光退火扫描方法：

首先，在晶圆41上定义其激光退火的24行扫描行，扫描行序号A为1-24。

然后，如图4所示，对晶圆41上的扫描行采取随机方式进行跳跃式迂回激光退火扫描，或如图5所示，对晶圆41上的扫描行采取固定行数方式进行跳跃式迂回激光退火扫描，由于跳跃式的扫描方式对晶圆上所有分割的扫描行进行扫描，使得晶圆上的热应力能有效分散，从而避免了热应力过于集中而造成晶圆表面弯曲甚至剖片问题。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明提出一种激光退火扫描方法，通过跳跃式的扫描方式对晶圆上所有分割的扫描行进行扫描，使得晶圆上的热应力能有效分散，从而避免了热应力过于集中而造成晶圆表面弯曲甚至剖片问题。

通过说明和附图，给出了具体实施方式的特定结构的典型实施例，基于本发明精神，还可作其他的转换。尽管上述发明提出了现有的较佳实施例，然而，这些内容并不作为局限。

对于本领域的技术人员而言，阅读上述说明后，各种变化和修正无疑将显而易见。因此，所附的权利要求书应看作是涵盖本发明的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容，都应认为仍属本发明的意图和范围内。