[发明专利]一种管式PECVD设备

说明书

技术领域

本发明涉及太阳电池片制造领域。具体为一种对硅片进行镀膜的管式PECVD设备。

背景技术

PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)设备，即等离子增强化学气象沉积设备，用于对硅片进行镀膜，如图1所示，其包括上下料区、炉体、抽真空系统和控制系统，硅片装在石墨舟中，通过上下料区进入炉体进行镀膜，镀膜后在上下料区将石墨舟卸下，即下舟。等离子增强化学气象沉积设备对硅片进行镀膜的原理为：借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在硅片上沉积出所期望的薄膜。PECVD方法区别于其它CVD方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低CVD薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的CVD过程得以在低温(小于450°)实现。尽管如此，从炉体中出来的石墨舟的温度仍然在150°以上，因此运用管式PECVD设备的车间内需设置冷却房，操作人员需要将从炉体内出来的石墨舟装入石墨舟承载车，并通过石墨舟承载车将石墨舟推入冷却房9进行冷却，之后再推回装片房8将硅片从石墨舟中卸下并装进相应的设备中。其缺陷在于，首先操作人员在下舟时会有强烈的炙热感，对其健康不利；其次，操作人员需推着石墨舟到冷却房，之后再推往装片房，推行石墨舟的距离和时间较长，因此工作效率不高；另外，冷却房的工作原理为：将车间内的新鲜空气抽入冷却房，并将冷却房内被石墨舟加热的空气排出，这样车间内的空气质量下降，工作环境较差。

发明内容

本发明解决的技术问题在于克服采用现有的PECVD设备时，操作人员的工作环境差、工作效率低的缺点，提供一种可大大改善工作环境并提高工作效率的管式PECVD设备。

本发明的一种管式PECVD设备，包括上下料区、炉体、抽真空系统和控制系统，还设有用于存储从炉体内出来的石墨舟的下料存储区，所述下料存储区设置有对石墨舟进行冷却的冷却装置。

作为优选，所述下料存储区设有用于架设并存储石墨舟的存储架，所述冷却装置位于所述存储架的下方。

作为进一步的优选，所述存储架上下排列，所述冷却装置位于最下层的存储架的下方。

作为优选，所述冷却装置包括至少一个冷却风机。

作为进一步的优选，所述冷却风机为四个。

作为进一步的优选，所述冷却风机为可调速冷却风机。

作为进一步的优选，还包括与所述冷却风机电连接的风冷控制装置。

作为进一步的优选，所述冷却风机与所述控制系统电连接。

作为优选，还设有用于存储进入炉体前的石墨舟的上料存储区，所述上料存储区位于所述上下料区的下方且位于所述下料存储区的上方。

作为进一步的优选，所述上料存储区设有用于架设并存储石墨舟的上料存储架。

本发明提供的管式PECVD设备和现有技术相比，具有以下有益效果：

1、本发明的管式PECVD设备设有下料存储区，并且所述下料存储区设置有对石墨舟进行冷却的冷却装置。石墨舟下舟前经过冷却装置的冷却，操作人员进行下舟操作时不会再有炙热感，下舟后直接推送到装片房进行装片，大大减少了推送石墨舟的距离，因此也提高了工作效率。同时，由于不需要专门设置冷却房，增大了车间内的可用空间。

2、采用冷却风机作为可调速冷却风机，完成冷却工艺后石墨舟的温度可降至45°以下，进一步改善操作人员进行下舟操作的环境。

3、本发明的管式PECVD设备还包括与冷却风机电连接的冷却控制装置，可通过冷却控制装置设置冷却装置的各种运行参数，使其符合工艺要求，或者将冷却装置与所述控制系统电连接，通过控制系统控制冷却装置按照工艺要求自动运行。

附图说明

图1为运行现有PECVD设备的车间的布局示意图；

图2为运行本发明的管式PECVD设备的车间的布局示意图；

图3为本发明的管式PECVD设备的下料存储区的结构示意图。

附图标记

1-管式PECVD设备，2-上下料区，3-炉体，4-上料存储区，5-下料存储区，6-上料存储架，7-冷却风机，8-装片房，9-下料存储架。

具体实施方式