[发明专利]一种BICMOS工艺中的寄生N-I-P型PIN器件结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110340184.2 | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103094313A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 刘冬华;钱文生;胡君;段文婷;石晶 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/73;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 bicmos 工艺 中的 寄生 pin 器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种BICMOS工艺中的寄生N-I-P型PIN器件结构，其特征是，包括：P型衬底、膺埋层、有源区、浅槽隔离、N型重掺杂区、接触孔和金属线；所述P型衬底上方形成有源区，所述有源区上方形成有N型重掺杂区，所述膺埋层上方形成有浅槽隔离，所述有源区与膺埋层和浅槽隔离相邻，所述浅槽隔离与N型重掺杂区相邻，金属线通过接触孔自膺埋层和N型重掺杂区引出；所述有源区具有轻掺杂的N型杂质。
2.如权利要求1所述的PIN器件结构，其特征是：所述有源区具有轻掺杂的P型杂质。
3.一种BICMOS工艺中的寄生N-I-P型PIN器件结构的制作方法，其特征是，包括：
(1)在P型衬底上制作浅槽隔离；
(2)在浅槽隔离底部进行P型杂质注入形成膺埋层；
(3)掺杂注入形成有源区；
(4)进行热退火；
(5)在有源区上方生长多晶硅，进行N型重掺杂注入形成N型重掺杂区；
(6)接触孔自膺埋层和N型重掺杂区引出连接金属线，在接触孔内填入钒或锡以及钨。
4.如权利要求3所述的制作方法，其特征是：实施步骤(2)时，注入剂量为114cm-2至116cm-2，能量小于20keV。
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