[发明专利]植球设备和植球方法无效

专利信息
申请号: 201110340018.2 申请日: 2011-10-28
公开(公告)号: CN102368472A 公开(公告)日: 2012-03-07
发明(设计)人: 杜茂华 申请(专利权)人: 三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L21/687
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘奕晴
地址: 215021 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 设备 方法
【权利要求书】:

1.一种植球设备,其特征在于,所述植球设备包括拾取装置、基台、助焊剂转移装置和焊球转移装置,其中:

拾取装置拾取待植球的封装件,并将拾取的待植球的封装件放置在基台上;

基台包括第一加热装置,第一加热装置将放置在基台上的待植球的封装件保持在第一温度;

助焊剂转移装置将助焊剂施加到放置在基台上的待植球的封装件的焊盘上;

焊球转移装置将焊球设置在基台上的待植球的封装件的施加有助焊剂的焊盘上。

2.如权利要求1所述的植球设备,其特征在于,基台还包括固定装置,以固定放置在基台上的封装件。

3.如权利要求1所述的植球设备,其特征在于,基台还包括位置调整装置,以通过调整放置在基台上的待植球的封装件的位置来使待植球的封装件的焊盘先后与助焊剂转移装置和焊球转移装置对准。

4.如权利要求1所述的植球设备,其特征在于,第一加热装置包括线圈式加热器和电阻式加热器中的至少一种。

5.如权利要求1所述的植球设备,其特征在于,第一温度为不高于100℃的温度。

6.如权利要求1-5所述的植球设备,其特征在于,所述植球设备还包括传送装置和引导装置,其中:

传送装置将装载有待植球的封装件的封装件承载器传送到指定位置;

引导装置将被传送到指定位置的封装件承载器中的待植球的封装件引导到拾取位置,以供拾取装置进行拾取。

7.如权利要求6所述的植球设备,其特征在于,传送装置包括第二加热装置,在传送装置将装载有待植球的封装件的封装件承载器传送到指定位置的过程中,第二加热装置对装载在封装件承载器中的待植球的封装件进行预加热,以将待植球的封装件保持在第二温度。

8.如权利要求7所述的植球装置,其特征在于,第二温度为不高于80℃的温度。

9.如权利要求7所述的植球设备,其特征在于,传送装置还包括传送带和设置在传送带的两侧的挡板,第二加热装置安装在挡板上。

10.如权利要求9所述的植球设备,其特征在于,第二加热装置包括辐射式加热器。

11.一种植球方法,其特征在于,所述植球方法包括下述步骤:

拾取待植球的封装件并将拾取的待植球的封装件放置在基台上;

将助焊剂施加到放置在基台上的待植球的封装件的焊盘上;

将焊球设置在放置在基台上的待植球的封装件的施加有助焊剂的焊盘上,

其中,将放置在基台上的待植球的封装件保持在第一温度。

12.如权利要求11所述的植球方法,其特征在于,通过包括在基台中的固定装置来固定放置在基台上的封装件。

13.如权利要求11所述的植球方法,其特征在于,所述植球方法还包括:

通过调整放置在基台上的待植球的封装件的位置来使待植球的封装件的焊盘先后与助焊剂转移装置和焊球转移装置对准。

14.如权利要求11所述的植球方法,其特征在于,通过安装在基台上的第一加热装置将放置在基台上的待植球的封装件保持在第一温度,其中,第一加热装置包括线圈式加热器和电阻式加热器中的至少一种。

15.如权利要求11所述的植球方法,其特征在于,第一温度为不高于100℃的温度。

16.如权利要求11-15所述的植球方法,其特征在于,所述植球方法还包括:

将装载有待植球的封装件的封装件承载器传送到指定位置;

将被传送到指定位置的封装件承载器中的待植球的封装件引导到拾取位置。以供拾取。

17.如权利要求16所述的植球方法,其特征在于,在将装载有待植球的封装件的封装件承载器传送到指定位置的过程中,对装载在封装件承载器中的待植球的封装件进行预加热,以将对待植球的封装件保持在第二温度。

18.如权利要求17所述的植球方法,其特征在于,第二温度为不高于80℃的温度。

19.如权利要求17所述的植球方法,其特征在于,通过包括传送带和设置在传送带的两侧的挡板的传送装置来将装载有待植球的封装件的封装件承载器传送到指定位置,通过安装在挡板上的第二加热装置来对待植球的封装件进行预加热。

20.如权利要求19所述的植球设备,其特征在于,第二加热装置包括辐射式加热器。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社,未经三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110340018.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top