[发明专利]显示器件的阵列基板、彩膜基板及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)的阵列基板、彩膜基板及其制备方法。

背景技术

在平板显示技术中，LCD具有体积小、功耗低、无辐射、制造成本相对较低等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。

ADSDS(ADvanced Super Dimension Switch)，简称ADS，即高级超维场转换技术，通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。

在现有的ADS模式液晶显示器中，公共电极和像素电极由透明导体制成，从而增加了开口率和透光率，并且公共电极和像素电极之间所形成的空间比上、下基板间的空间更狭窄，从而在公共电极和像素电极之间形成多维电场，使得液晶分子在平行于基板的平面方向上发生旋转转换，从而提高液晶层的透光效率。

为了避免数据线上方的遮光区对开口率的影响，提高像素的透过率，如图1所示，现有技术提供一种像素结构，去掉数据线1上方的遮光区，设置与数据线1相平行的狭缝状的公共电极2，一部分狭缝状的公共电极2设置在像素电极3上方，另一部分狭缝状的公共电极2覆盖在数据线1上方，并且宽度大于数据线1的宽度，通过在数据线1上方形成公共电极2的覆盖来抑制数据线1对液晶电场的干扰，防止发生漏光等不利影响，进而提高像素的透过率。

然而，发明人发现现有技术的像素结构在数据线上有较宽的公共电极，使得数据线位置的透过率有所损失。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种显示器件的阵列基板、彩膜基板及其制备方法，能够有效抑制数据线的信号对上方液晶调制的干扰，且提高了光线的透过率。

为解决上述技术问题，本发明实施例采用如下技术方案：

一种阵列基板，包括：基板，设置在基板上的栅线，与所述栅线垂直设置的数据线，所述栅线和所述数据线交叉限定的像素区域，所述像素区域内设有薄膜晶体管和像素电极，与所述像素电极配合产生多维电场的的公共电极，所述像素电极为狭缝状电极，所述公共电极为板状电极；或所述像素电极为板状电极，所述公共电极为狭缝状电极，所述公共电极与所述像素电极之间设有第一绝缘层，所述板状电极的一端覆盖在所述数据线上方，且所述板状电极所在的层与所述数据线所在的层之间设置有第二绝缘层。

所述第二绝缘层为材质为树脂的树脂层。所述公共电极等距排布。

一种阵列基板的制备方法，包括：

在基板上形成栅线、数据线和薄膜晶体管，且所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接；

在形成有栅线、数据线和薄膜晶体管的基板上形成第二绝缘层；

在形成有第二绝缘层的基板上形成板状电极；

在形成有板状电极的基板上形成与所述板状电极配合产生多维电场的狭缝状电极，所述狭缝状电极与所述板状电极之间设有第一绝缘层；其中，所述狭缝状电极为像素电极，所述板状电极为公共电极；或所述板状电极为像素电极，所述狭缝状电极为公共电极，所述板状电极的一端覆盖在所述数据线上方。所述第二绝缘层为材质为树脂的树脂层。

所述公共电极等距排布。

一种彩膜基板，包括：基板、形成在所述基板上的黑矩阵以及形成在所述黑矩阵之间的彩色树脂，所述黑矩阵设置在对应阵列基板上的栅线、薄膜晶体管以及相邻像素间未设置数据线的位置。

一种彩膜基板的制备方法，包括：

在基板上形成黑矩阵和彩色树脂，所述黑矩阵设置在对应阵列基板上的栅线、薄膜晶体管以及相邻像素间未设置数据线的位置。

一种液晶面板，包括：上述阵列基板和彩膜基板，以及所述阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。

一种显示器件，包括：上述的阵列基板。

在本实施例的技术方案中，由底部的像素电极和上部的公共电极形成多维电场，上部公共电极和底部像素电极通过绝缘层隔开，利用像素电极的一端覆盖数据线，并在像素电极所在的层与所述数据线所在的层之间设置一层绝缘层，用于绝缘保护，本实施例的方案不仅仅抑制了数据线对其上方的液晶调制的干扰，还增大了多维电场的形成范围，提高了像素内液晶的调制范围，进一步提高了透过率。