[发明专利]直流输电线下小型接地物体表面合成电场的计算方法

权利要求书

1.一种直流输电线下小型接地物体表面合成电场的计算方法，其特征是所述方法包括：

步骤1：在直流输电线下不存在小型接地物体时，利用二维离子流场计算方法计算空间各点的电荷密度；

步骤2：在直流输电线下存在小型接地物体时，利用所述二维离子流场计算方法计算的空间各点的电荷密度，使用三维静电场计算方法获得物体表面合成电场。

2.根据权利要求1所述的直流输电线下物体表面合成电场的计算方法，其特征是所述步骤1具体是：

步骤11：设定边界条件；

步骤12：设定空间各点的电荷密度初值；

步骤13：由空间各点的电荷密度值，计算空间各点的电位和场强；

步骤14：由空间各点的电位和场强，计算空间各点的电荷密度；

步骤15：判断边界条件和空间各点的电荷密度是否满足收敛条件，如果边界条件和空间各点的电荷密度满足收敛条件，则所述空间各点的电荷密度即为所求解；否则，执行步骤16；

步骤16：修正空间各点的电荷密度，并将修正后的空间各点的电荷密度作为空间各点的电荷密度值，返回步骤13。

3.根据权利要求1所述的直流输电线下物体表面合成电场的计算方法，其特征是所述步骤2具体是：

步骤21：设定三维区域，使物体位于三维区域底部中心位置；

步骤22：以所述二维离子流场计算方法计算的空间各点的电荷密度作为所述三维区域对应空间位置的点的电荷密度；

步骤23：获取所述三维区域的各边界电位和物体表面电位；

步骤24：计算物体表面电场，即为所求合成电场。