[发明专利]一种台面型铟镓砷探测器制备方法

权利要求书

1.一种台面型铟镓砷探测器制备方法，其特征在于，探测器的制备工艺流程如下：1.外延材料清洗，2.第一次光刻，3.蒸镀P电极，4.光刻胶剥离，5.P电极退火，6.沉积氮化硅掩膜，7.第二次光刻，8.制备刻蚀掩膜，9.刻蚀台面，10.热处理，11.化学腐蚀去除表面损伤，12.去除刻蚀掩膜，13.腐蚀去除表面氧化物，14.芯片表面硫化，15.沉积氮化硅钝化膜，16.第三次光刻，17.开P、N电极孔，18.第四次光刻，19.溅镀N电极以及P电极加厚，20.光刻胶剥离，21.正面光刻胶保护，22.划片、芯片测试；其中：

A.步骤5中的P电极退火工艺，在N2保护气氛中，对于截止波长为2.4μm的In_0.78Ga_0.22As探测器，退火温度为420～450℃，温度保持时间为45～60秒；

B.步骤9中的刻蚀台面工艺，采用氮化硅作为掩膜，感应耦合等离子刻蚀条件为：ICP功率为330～400W、RF功率为100～150W、气体流量Cl₂∶N₂＝10sccm∶60sccm、腔体压强为4～5mTorr、温度为140～170℃；

C.步骤10中的热处理工艺，在氢气保护气氛中，烘烤温度为400～450℃，温度保持时间为20～30分钟；

D.步骤13中的腐蚀去除表面氧化物工艺，硫酸溶液体积比配比为95％H₂SO₄∶H₂O为1∶15～1∶10，腐蚀时溶液的温度保持在50～60℃；

E.步骤14中的芯片表面硫化工艺，硫化铵溶液温度保持在23～26℃，硫化时间为30～40分钟，去离子水冲洗1～2分钟。