[发明专利]用于驱动具有高阈值电压的晶体管的系统和方法

权利要求书

1.一种用于驱动晶体管的系统，该系统包括：

浮动电压生成器，被配置为接收第一偏置电压并生成浮动电压，所述浮动电压生成器还被配置为当所述第一偏置电压改变时改变所述浮动电压，并且维持所述浮动电压的大小比所述第一偏置电压低第一预定值；

第一驱动电路，被配置为接收输入信号、所述第一偏置电压和所述浮动电压；

第二驱动电路，被配置为接收所述输入信号、第二偏置电压和第三偏置电压，所述第一驱动电路和所述第二驱动电路被配置为生成用以驱动晶体管的输出信号；

其中：

所述第一驱动电路包括第一驱动晶体管，所述第一驱动晶体管被配置为接收所述第一偏置电压和第一栅极信号，所述第一栅极信号至少与所述输入信号、所述第一偏置电压和所述浮动电压相关联；

所述第二驱动电路包括第二驱动晶体管，所述第二驱动晶体管被配置为接收所述第三偏置电压和第二栅极信号，所述第二栅极信号至少与所述输入信号、所述第二偏置电压和所述第三偏置电压相关联；以及

所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管还被配置为生成所述输出信号；

其中：

如果所述第一栅极信号使所述第一驱动晶体管导通，则所述第二栅极信号使所述第二驱动晶体管截止；以及

如果所述第一栅极信号使所述第一驱动晶体管截止，则所述第二栅极信号使所述第二驱动晶体管导通。

2.如权利要求1所述的系统，其中：

所述浮动电压生成器包括基准电压生成器和电流吸收组件；

其中：

所述基准电压生成器被配置为接收所述第一偏置电压并且生成基准电压；以及

所述电流吸收组件被配置为接收所述基准电压并且生成所述浮动电压。

3.如权利要求2所述的系统，其中，所述基准电压生成器还被配置为当所述第一偏置电压改变时改变所述基准电压，并且维持所述基准电压的大小比所述第一偏置电压低第二预定值。

4.如权利要求3所述的系统，其中，所述第二预定值不同于所述第一预定值。

5.如权利要求2所述的系统，其中，所述电流吸收组件还被配置为吸收一个或多个电流。

6.如权利要求2所述的系统，其中：

所述浮动电压生成器还包括第一电阻器、第二电阻器和电容器，所述第一电阻器包括第一电阻器端子和第二电阻器端子，所述第二电阻器包括第三电阻器端子和第四电阻器端子，所述电容器包括第一电容器端子和第二电容器端子；

其中：

所述第一电阻器在所述第一电阻器端子处被耦合到所述基准电压生成器和所述电流吸收组件，并被配置为在所述第二电阻器端子处接收第四偏置电压；

所述第二电阻器在所述第三电阻器端子处被耦合到所述基准电压生成器，并且在所述第四电阻器端子处被耦合到所述电流吸收组件；以及

所述电容器在所述第一电容器端子处被耦合到所述基准电压生成器，并且在所述第二电容器端子处被耦合到所述电流吸收组件。

7.如权利要求6所述的系统，其中，所述电容器包括第一晶体管，所述第一晶体管包括第一晶体管端子、第二晶体管端子和第三晶体管端子，所述第一晶体管端子和所述第二晶体管端子彼此相耦合。

8.如权利要求6所述的系统，其中：

所述基准电压生成器包括电阻器、二极管和第一晶体管，所述电阻器包括第一电阻器端子和第二电阻器端子，所述二极管包括第一二极管端子和第二二极管端子，所述第一晶体管包括第一体管端子、第二晶体管端子和第三晶体管端子；

其中：

所述第一电阻器端子被耦合到所述第一二极管端子；

所述第二二极管端子被耦合到所述第一晶体管端子；以及

所述第二晶体管端子被耦合到所述第一晶体管端子。

9.如权利要求8所述的系统，其中，所述电流吸收组件包括射极跟随器。

10.如权利要求8所述的系统，其中，所述电流吸收组件包括源极跟随器。