[发明专利]固态摄像器件和半导体器件及其制造方法以及电子装置有效
申请号: | 201110316500.2 | 申请日: | 2011-10-18 |
公开(公告)号: | CN102544034B | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
发明(设计)人: | 前田圭一 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/552;H04N5/374 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人: | 武玉琴,陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 摄像 器件 半导体器件 及其 制造 方法 以及 电子 装置 | ||
1.一种固态摄像器件,其包括:
摄像元件,其包括第一半导体基板、形成在所述第一半导体基板的表面上的第一布线层和形成在所述第一布线层的上部的第一金属层,在所述摄像元件中,作为感光表面的像素区域形成在所述第一半导体基板的背面侧;及
逻辑元件,其包括第二半导体基板、形成在所述第二半导体基板的表面上的第二布线层和形成在所述第二布线层的上部的第二金属层,在所述逻辑元件中形成有信号处理电路,所述信号处理电路对在所述像素区域处获得的像素信号进行处理,且所述逻辑元件层叠到所述摄像元件,使得所述第一金属层和所述第二金属层彼此接合,
其中,接合后的所述第一金属层和所述第二金属层构成所述摄像元件和所述逻辑元件之间的屏蔽层,并且所述屏蔽层通过第一贯穿电极层连接到地电势,所述第一贯穿电极层贯穿所述第一半导体基板,并且
所述第一金属层和所述第二金属层形成在除形成有第二贯穿电极层的区域之外的区域上,所述第二贯穿电极层贯穿所述摄像元件和所述逻辑元件的接合表面,驱动电势供应至所述第二贯穿电极层。
2.如权利要求1所述的固态摄像器件,其还包括:
第一绝缘部,其包括形成在所述第一金属层的同一层的预定区域上的绝缘材料;
第二绝缘部,其包括形成在所述第二金属层的同一层的预定区域中的与所述第一绝缘部相接触的区域上的绝缘材料;及
所述第二贯穿电极层,其贯穿所述第一绝缘部和所述第二绝缘部。
3.如权利要求2所述的固态摄像器件,其中,所述第二贯穿电极层暴露于所述摄像元件的感光表面侧。
4.如权利要求1-3中任一权利要求所述的固态摄像器件,其中,所述第一金属层和/或所述第二金属层是包括不同金属材料的层叠结构。
5.如权利要求1-3中任一权利要求所述的固态摄像器件,其中,所述第一金属层经由包括铁磁体的阻挡金属层形成在所述第一布线层的上部。
6.如权利要求1-3中任一权利要求所述的固态摄像器件,其中,所述第二金属层经由包括铁磁体的阻挡金属层形成在所述第二布线层的上部。
7.一种半导体器件,其包括:
第一半导体元件,其包括第一半导体基板、形成在所述第一半导体基板的表面上的第一布线层及形成在所述第一布线层的上部的第一金属层,在所述第一半导体元件中形成有第一半导体集成电路;及
第二半导体元件,其包括第二半导体基板、形成在所述第二半导体基板的表面上的第二布线层及形成在所述第二布线层的上部的第二金属层,在所述第二半导体元件中形成有第二半导体集成电路,且所述第二半导体元件层叠到所述第一半导体元件,使得所述第一金属层和所述第二金属层彼此接合,
其中,
接合后的所述第一金属层和所述第二金属层构成所述第一半导体集成电路和所述第二半导体集成电路之间的屏蔽层,
所述第一金属层经由阻挡金属层形成在所述第一布线层的上部,并且所述第二金属层经由阻挡金属层形成在所述第二布线层的上部,
所述屏蔽层通过第一贯穿电极层连接到地电势,所述第一贯穿电极层贯穿所述第一半导体基板,并且
所述第一金属层和所述第二金属层形成在除形成有第二贯穿电极层的区域之外的区域上,所述第二贯穿电极层贯穿所述第一半导体集成电路和所述第二半导体集成电路的接合表面,驱动电势供应至所述第二贯穿电极层。
8.如权利要求7所述的半导体器件,其还包括:
第一绝缘部,其包括形成在所述第一金属层的同一层的预定区域上的绝缘材料;
第二绝缘部,其包括形成在所述第二金属层的同一层的预定区域中的与所述第一绝缘部相接触的区域上的绝缘材料;及
所述第二贯穿电极层,其贯穿所述第一绝缘部和所述第二绝缘部。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110316500.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的