[发明专利]发光器件有效
申请号: | 201110315352.2 | 申请日: | 2011-10-11 |
公开(公告)号: | CN102447032A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 林祐湜;金省均;罗珉圭;秋圣镐;金明洙;范熙荣 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/00;H01L33/62;F21S2/00;F21Y101/02 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 夏凯;谢丽娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 | ||
1.发光器件,包括:
发光结构,所述发光结构包括第一半导体层、第二半导体层、以及有源层,所述有源层被布置在所述第一和第二半导体层之间;
第一电极,所述第一电极电连接到所述第一半导体层;以及
第二电极,所述第二电极电连接到所述第二半导体层,
其中所述第一半导体层具有孔,所述孔形成在所述第一半导体层的边缘部分处,所述第一电极的一部分布置在所述孔中。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第一半导体层包括:
第一区域,所述第一区域垂直地重叠所述有源层;和
第二区域,所述第二区域不重叠所述第一区域,所述第二区域包括边缘部分,所述孔形成在所述边缘部分处。
3.根据权利要求1或2所述的发光器件,进一步包括:
电极焊盘,所述电极焊盘布置在所述第一半导体层上同时接触布置在所述孔中的所述第一电极的所述部分。
4.根据权利要求3所述的发光器件,其中所述第一半导体层具有粗糙,并且
其中所述电极焊盘被布置在所述粗糙上。
5.根据权利要求3所述的发光器件,其中所述电极焊盘具有等于或者大于所述孔的宽度的宽度。
6.根据权利要求1所述的发光器件,进一步包括绝缘层,所述绝缘层被布置在所述发光结构的侧表面和所述第二半导体层的下表面的一部分上。
7.根据权利要求6所述的发光器件,其中所述发光结构的各个侧表面具有倾斜部分,并且
其中所述绝缘层被布置在所述倾斜部分上。
8.根据权利要求6所述的发光器件,其中所述第一电极被布置在所述绝缘层的下表面和所述绝缘层的侧表面上。
9.根据权利要求8所述的发光器件,其中所述孔具有等于或者大于布置在所述绝缘层的侧表面上的所述第一电极的部分的宽度的宽度。
10.根据权利要求8所述的发光器件,其中所述第二电极被布置在所述第二半导体层的下表面上同时与所述绝缘层隔开。
11.根据权利要求1或权利要求10所述的发光器件,其中所述第一和第二电极中的至少一个包括欧姆层和反射层中的至少一个,所述欧姆层和反射层被布置在所述第一半导体层的下表面上。
12.根据权利要求11所述的发光器件,其中所述欧姆层和所述反射层中的至少一个具有等于或者小于所述第一电极的厚度的厚度。
13.根据权利要求1所述的发光器件,其中被布置在所述孔中的所述第一电极接触所述第一半导体层的非C面。
14.根据权利要求1所述的发光器件,进一步包括:
基板,所述基板被布置在所述第一和第二电极下面。
15.根据权利要求14所述的发光器件,其中所述基板包括:
第一基板部分,所述第一基板部分接触所述第一电极;和
第二基板部分,所述第二基板部分与所述第一基板部分隔开同时接触所述第二电极。
16.根据权利要求15所述的发光器件,其中所述基板在所述第一基板部分和所述第二基板部分之间布置并且形成有间隔部分,所述间隔部分用于电绝缘所述第一和第二电极。
17.发光器件封装,包括:
发光器件,所述发光器件包括发光二极管;和
主体,所述主体包括第一引线框架和第二引线框架,所述第一引线框架设置有所述发光器件,所述第二引线框架与所述第一引线框架隔开,
其中所述发光器件包括:
发光结构,所述发光结构包括第一半导体层、第二半导体层、以及有源层,所述有源层布置在所述第一和第二半导体层之间;
第一电极,所述第一电极电连接到所述第一半导体层;以及
第二电极,所述第二电极电连接到所述第二半导体层,
其中所述第一半导体层具有孔,所述孔形成在所述第一半导体层的边缘部分处,所述第一电极的一部分布置在所述孔中。
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