[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201110315285.4 | 申请日： | 2011-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN103050382A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;沈满华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有介质层、第一掩模层和第二掩模层；
在所述第二掩模层的侧面形成侧墙；
形成图形化的光掩模层，覆盖所述第二掩模层、侧墙和第一掩模层；
以所述图形化的光掩模层为掩模，依次刻蚀所述第二掩模层、第一掩模层和介质层。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述介质层的材料为低介电常数材料或者超低介电常数材料。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述图形化的光掩模层的开口尺寸大于所述第二掩模层的尺寸。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一掩模层为金属硬掩模层。
5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一掩模层的材料包括氮化钛、氮化硼或者两者的组合。
6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一掩模层的厚度小于或等于
7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第二掩模层的材料为氧化硅；所述侧墙的材料为氮化硅。
8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，以所述图形化的光掩模层为掩模，依次干法刻蚀所述第二掩模层、第一掩模层和介质层。
9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括：
去除所述图形化的光掩模层，并以所述侧墙为掩模刻蚀剩余的第一掩模层以及部分介质层；
去除所述侧墙，并以第一掩模层为掩模，刻蚀剩余的介质层。
10.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，去除所述图形化的光掩模层，并以所述侧墙为掩模干法刻蚀剩余的第一掩模层以及部分介质层。
11.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，湿法刻蚀去除所述侧墙，并以第一掩模层为掩模，干法刻蚀剩余的介质层。
12.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括：在所述第二掩模层的侧面形成侧墙之后，且在形成图形化的光掩模层之前，对所述侧墙进行线性裁切。
13.如权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，采用干法刻蚀对所述侧墙进行线性裁切。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
