[发明专利]积层式可储能太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201110307277.5 | 申请日: | 2011-10-09 |
公开(公告)号: | CN102394321A | 公开(公告)日: | 2012-03-28 |
发明(设计)人: | 蒋维 | 申请(专利权)人: | 福建瑞达精工股份有限公司 |
主分类号: | H01M10/46 | 分类号: | H01M10/46 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 350001 福建省福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 积层式可储能 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种积层式可储能太阳能电池,其特征在于:由积层式的太阳能电池上进一步层叠二次电池,所述二次电池采用锂离子电池,再配以充电控制电路,通过柔性塑料封装而成,所述太阳能电池以太阳能电池基材为衬底,在其表面依次层叠表漆层、前电极层、薄膜电池层和背电极层;然后在背电极层上在依次涂布锂离子电池正极活性层、隔膜、负极活性层和负极集流体,经过滚压复合后,注入电解质并干燥后,形成一体式集成太阳能电池;再分别在前电极层引出第一接线端子,背电极层引出第二接线端子,负极集流体引出第三接线端子,第一接线端子个第三接线端子之间连接充电控制电路,第二引出接线端子作为太阳能电池正极和锂离子电池正极共用的集流体端子,最后进行塑封,即得到积层式可储能太阳能电池。
2.根据权利要求1所述的积层式可储能太阳能电池,其特征在于:所述太阳能电池基材使用透明的石英、普通玻璃、塑料、SnO2、ITO或ZnO。
3.根据权利要求1所述的积层式可储能太阳能电池,其特征在于:所述表漆层采用透明绝缘膜,可以是一种或复合的绝缘、耐酸碱的树脂或SiO2保护层,漆层的厚度为10μm~100μm。
4.根据权利要求1所述的积层式可储能太阳能电池,其特征在于:所述前电极层采用透明导电膜,可以是复合导电膜或SnO2、ITO、ZnO膜中的一种。
5.根据权利要求1所述的积层式可储能太阳能电池,其特征在于:所述薄膜电池层是至少含有一个PN结的非晶硅或微晶硅电池层。
6.根据权利要求1所述的积层式可储能太阳能电池,其特征在于:所述背电极层是一层连续的金属导电膜,采用厚度10-20μm的铝质膜。
7.根据权利要求2所述的积层式可储能太阳能电池,其特征在于:所述电解质采用固态电解质或聚合物电解质。
8.根据权利要求2所述的积层式可储能太阳能电池,其特征在于:所述负极集流体采用厚度7-15μm的电解铜箔。
9.根据权利要求2所述的积层式可储能太阳能电池,其特征在于:所述接线端子采用厚度50-100μm的电解铝箔或厚度20-40μm的电解铜箔。
10.一种积层式可储能太阳能电池的制备方法,主要包括太阳能电池制备、锂离子电池制备、充电控制电路制备和封装四个部分,具体如下:
1)太阳能电池制备
步骤1:根据设定的尺寸制备太阳能电池基体;
步骤2:在太阳能电池基体表面涂覆透明绝缘膜作为表漆层;
步骤3:制备前电极层,采用沉积法在表漆层上沉积透明导电膜,前电极层与太阳能电池基体边缘的距离不低于0.5mm;
步骤4:压入第一接线端子,作为太阳能电池负极端子;
步骤5:在前电极层上一次沉积P-I-N非晶硅或微晶硅薄膜电池层,在距离太阳能电池基体边缘0.3mm~0.7mm的链节表面采用化学气相沉积法,依次沉积P型非晶硅掺杂层、I型本证非晶硅层和N型非晶硅掺杂层。
步骤6:镀覆背电极层,采用蒸发或磁控溅射技术在硅薄膜电池层上镀一层连续金属导电膜,背电极层与太阳能电池基体边缘的距离不低于0.5mm。
2)锂离子电池制备
步骤1:在上述制备的太阳能电池上压入第二接线端子,作为太阳能电池正极和锂离子电池正极共用的集流体端子;
步骤2:涂布锂离子电池正极活性层;
步骤3:铺上隔膜层;
步骤4:涂布负极活性层;
步骤5:铺上负极集流体层。
步骤6:压入第三接线端子,作为锂离子电池负极的集流体端子;
步骤7:滚压复合;
步骤8:注入电解质;
步骤9:干燥;
3)充电控制电路制备
步骤1:在上述第一接线端子与第三接线端子之间接入充电控制电路;
4)封装
步骤1:将上述制备完成的含有太阳能电池、锂离子电池和充电控制电路的积层式可储能太阳能电池组件放入模具,进行塑封。
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